意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）今天推出兩款適用于直流—直流轉換器的全新功率MOSFET（金屬互補氧化物場效應晶體管" title="場效應晶體管">場效應晶體管）產品。新產品采用ST獨有的最新版STripFET?制造技術，擁有極低的導通損耗和開關損耗，在一個典型的穩(wěn)壓模塊內，兩種損耗的減少可達3瓦。在同類競爭產品中，新產品實現(xiàn)了最低的品質因數(shù)：FOM = 導通電阻" title="導通電阻">導通電阻Rds(on) x柵電荷量（Qg）。 ?

除高能效外，新款MOSFET準許實際電路的開關頻率" title="開關頻率">開關頻率高于正常開關頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。?

STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的頭兩款產品，因為導通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產品都是30V（BVDSS）器件。因為柵電荷量（Qg）僅為8.8nC（納庫化），在10V電壓時，導通電阻Rds（on）為7.2毫歐，所以STD60N3LH5是非隔離直流—直流降壓轉換器中的控制型場效應晶體管的理想選擇。在10V電壓時，導通電阻Rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nC，因此STD85N3LH5是同步場效應晶體管的最佳選擇。兩款新產品都采用DPAK和IPAK封裝，不久還將推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK?封裝的產品。新系列STripFET V產品最適合應用于筆記本電腦、服務器、電信設備和網絡系統(tǒng)。 ?

ST的STripFET技術利用非常高的等效單元密度和更小的單元特征尺寸來實現(xiàn)極低的導通電阻和開關損耗，同時硅面積占用率較低。STripFET V是最新一代的STripFET技術，與上一代技術相比，硅阻和活動區(qū)的關鍵指標改進大約35%，單位活動區(qū)內的柵電荷總量降低25%。?

兩款產品已投入量產。?

更多信息請訪問： www.stmicroelectronics.com.cn/pmos?

關于意法半導體" title="意法半導體">意法半導體（ST）

意法半導體，是微電子應用領域中開發(fā)供應半導體解決方案的世界級主導廠商。硅片與系統(tǒng)技術的完美結合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產權組合（IP），以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關系，使意法半導體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術方面居最前沿地位。在今天實現(xiàn)技術一體化的發(fā)展趨勢中，ST的產品扮演了一個重要的角色。公司股票分別在紐約股票交易所" title="股票交易所">股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。2007年，公司凈收入100億美元，詳情請訪問ST網站 www.st.com 或 ST中文網站 www.stmicroelectronics.com.cn