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華為自研HBM內(nèi)存正式公布

2025-09-18
來源:快科技
關(guān)鍵詞: 華為 昇騰 HBM

9月18日消息,今日舉辦的華為全聯(lián)接大會(huì)2025上,華為輪值董事長徐直軍首次公布了昇騰芯片演進(jìn)和目標(biāo)。

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他表示,未來三年,華為已經(jīng)規(guī)劃了昇騰多款芯片,包括昇騰950PR、950DT以及昇騰960、970。其中昇騰950PR 2026年第一季度對(duì)外推出,該芯片采用了華為自研HBM。

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根據(jù)現(xiàn)場公布的信息,昇騰950PR芯片架構(gòu)新增支持低精度數(shù)據(jù)格式,其中FP8/MXFP8/HIF8: 1 PFLOPS,MXFP4: 2 PFLOPS,重點(diǎn)提升向量算力,提升互聯(lián)寬帶2.5倍,支持華為自研HBM高帶寬內(nèi)存,分為HiBL 1.0和HiZQ 2.0兩個(gè)版本。

規(guī)格方面,HiBL 1.0容量128GB,帶寬1.6TB/s;HiZQ 2.0容量144GB,帶寬4TB/s。

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其中,昇騰950PR芯片采用950核心+HiBL 1.0內(nèi)存,可提升推理Prefill(預(yù)填充)性能,提升推薦業(yè)務(wù)性能。

昇騰950DT采用HiZQ 2.0內(nèi)存,可提升推理Decode(解碼)性能,提升訓(xùn)練性能,提升內(nèi)存容量和帶寬。

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延伸閱讀:

在大模型推理中,Prefill階段負(fù)責(zé)接收完整輸入數(shù)據(jù)(如文本或圖像),并計(jì)算緩存。這一過程需要強(qiáng)大的算力支持,通常由高性能芯片完成。 該階段強(qiáng)調(diào)算力而非內(nèi)存帶寬,因此更適合在HBM(高帶寬內(nèi)存)芯片上運(yùn)行。相比之下,后續(xù)的Decode階段更依賴高速內(nèi)存?zhèn)鬏敽突ヂ?lián)方案。

HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)是一種基于3D堆疊技術(shù)的先進(jìn)DRAM解決方案,多層DRAM芯片垂直集成,顯著提升數(shù)據(jù)傳輸效率。具有超高帶寬與低延遲、高容量密度、高能效比等優(yōu)勢(shì),能協(xié)助快速處理數(shù)據(jù)密集型的AI任務(wù)。

美國國際戰(zhàn)略研究中心(CSIS)AI專家艾倫(Gregory Allen)解釋,HBM對(duì)于制造先進(jìn)AI芯片至關(guān)重要,價(jià)值約占整體芯片的一半。

AI推理需頻繁調(diào)用海量模型參數(shù)(如千億級(jí)權(quán)重)和實(shí)時(shí)輸入數(shù)據(jù)。HBM的高帶寬和大容量允許GPU直接訪問完整模型,可避免傳統(tǒng)DDR內(nèi)存因帶寬不足導(dǎo)致的算力閑置。對(duì)于千億參數(shù)以上的大模型,HBM可顯著提升響應(yīng)速度。

當(dāng)下,HBM已成為高端AI芯片的標(biāo)配,訓(xùn)練側(cè)滲透率接近100%,推理側(cè)隨模型復(fù)雜化加速普及。


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