《電子技術(shù)應(yīng)用》
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英飛凌推出75 mΩ工業(yè)級CoolSiC? 650 V G2系列MOSFET

適用于具備高功率密度需求的中功率應(yīng)用場景
2025-09-22
來源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 CoolSiC MOSFET

【2025年9月22日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合,新增 75 mΩ 規(guī)格型號,以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇,包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此,該產(chǎn)品組合可同時支持頂部冷卻(TSC)與底部冷卻(BSC)兩種散熱方案,為研發(fā)人員的設(shè)計提供了高度靈活性。此類器件非常適用于中高功率等級的開關(guān)模式電源(SMPS),可廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,包括AI服務(wù)器、可再生能源系統(tǒng)、電動汽車及電動汽車充電樁、人形機器人充電、電視機以及各類驅(qū)動系統(tǒng)。

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CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET 是基于第二代(G2)CoolSiC 技術(shù)打造的。相較于上一代產(chǎn)品,其品質(zhì)因數(shù)更優(yōu)、可靠性更高,且易用性顯著提升。不同封裝類型各具優(yōu)勢:TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝在印刷電路板(PCB)上具備出色的熱循環(huán)穩(wěn)定性,有助于實現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。應(yīng)用于SMPS時,這類封裝可減少 PCB 的空間占用,并在系統(tǒng)層面降低制造成本。目前,TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝的目標應(yīng)用范圍已進一步擴大,能幫助 PCB 設(shè)計人員應(yīng)對成本降低的挑戰(zhàn)。TOLT 封裝的加入進一步強化了英飛凌不斷壯大的TSC產(chǎn)品組合 —— 該組合目前已涵蓋 CoolMOS? 8、CoolSiC?、CoolGaN?及 Optimos?系列產(chǎn)品。采用 TSC 設(shè)計的器件其直接散熱效率可實現(xiàn)高達 95%,且允許設(shè)計人員充分利用 PCB 的正反兩面,既能提升了空間利用率,又能減少寄生效應(yīng)。

 

供貨情況

CoolSiC? 650 V G2 系列 75 mΩ 規(guī)格的 MOSFET 目前已正式發(fā)售,可提供 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 及 TO247-4 多種封裝類型。

 

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