“這次漲價的特別之處在于，我在這個行業(yè)這么多年，之前從未見過漲價周期能夠持續(xù)這么久?！眹鴥纫患掖鎯δ＝M廠的員工近日向財聯(lián)社記者感嘆道。

眼下，存儲芯片市場正經(jīng)歷一場由AI驅動的、前所未有的全面缺貨與漲價潮。這場始于上半年的漲勢，進入第四季度非但沒有趨緩，反而有進一步加劇的跡象。

有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士告訴財聯(lián)社記者，目前部分存儲原廠已經(jīng)對部分Dram和Flash產(chǎn)線采取暫停報價策略；漲價壓力亦已傳導至終端市場，小米集團創(chuàng)始人雷軍24日在微博上直言，“最近內存漲價實在太多”。

究其原因，此輪漲價的核心驅動力并非簡單的周期性波動，而是以HBM為代表的AI需求爆發(fā)，正徹底打破存儲行業(yè)的傳統(tǒng)供需平衡。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源向財聯(lián)社記者指出，原廠產(chǎn)能正優(yōu)先分配給高階Server DRAM和HBM，從而擠壓了傳統(tǒng)消費電子所需的DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品供給，DDR4的緊缺或持續(xù)到26年的H1。對于國內廠商而言，許家源認為模組廠已積極儲備顆粒及晶圓（wafer）庫存，國內存儲產(chǎn)業(yè)鏈正試圖通過積極囤貨和調漲價格，迎接這場結構性景氣新時代。

四季度漲勢超預期：AI驅動“計劃性犧牲”引發(fā)供應結構失衡

眾所周知，存儲行業(yè)周期性極強，大漲后往往伴隨著低迷。而今年，存儲芯片價格的上漲已持續(xù)超過半年，進入四季度，其漲勢非但沒有趨緩，反而因多重因素疊加而進一步加劇。

CFM閃存市場最新報價顯示，產(chǎn)業(yè)上游成本的急速攀升，DDR4 16Gb 3200現(xiàn)貨報價本周已達到13.00美元，較上周暴漲30%；同時，512Gb Flash Wafer價格10月以來累計漲幅也已超過20%。

有存儲產(chǎn)業(yè)鏈人士向財聯(lián)社記者透露，目前原廠的部分Dram和Flash產(chǎn)品已經(jīng)處于停止報價狀態(tài)，就算報價，價格有效期也很短，“一天一個價”她說。

許家源則向記者預計，DRAM的整體價格（加計HBM）在第四季度將季增13%-18%。

多位存儲從業(yè)人士均向記者表示，這種產(chǎn)業(yè)鏈全面上漲如此之長時間的“超級周期”，此前見所未見。

資本市場亦對這輪“超級周期”反應熱烈。10月24日，A股存儲芯片概念再度爆發(fā)，普冉股份（688076.SH）、香農(nóng)芯創(chuàng)（300475.SZ）強勢20%漲停，佰維存儲（688525.SH）、江波龍（301308.SZ）等漲超10%。

AI驅動的產(chǎn)能轉移引發(fā)產(chǎn)品供應的結構性失衡是此輪漲價的核心邏輯。

AI大模型的發(fā)展，帶動著產(chǎn)業(yè)鏈對于GPU等基礎設施的需求。摩根士丹利日前預測，今年科技巨頭在AI基礎設施上的投入將達到4000億美元。這創(chuàng)造了存儲芯片的海量需求。Yole Group預計，2025年，主要用于GPU生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品的營收預計將接近翻倍，達到約340億美元；HBM 市場將在2030年前保持33%的年復合增長率，屆時其營收將超過 DRAM 市場總營收的50%。

而由于HBM所消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍多，在總產(chǎn)能有限的情況下，迫使存儲巨頭們將產(chǎn)能重點轉向利潤更高的HBM和DDR5。許家源告訴財聯(lián)社記者，原廠已將產(chǎn)能優(yōu)先保障生產(chǎn)Server DRAM及HBM。

因此，隨著原廠將產(chǎn)能優(yōu)先轉移至火熱的高價值產(chǎn)品，DDR4、LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品則開始面臨“計劃性犧牲”而供應緊缺，產(chǎn)品漲價范圍也從需求暴增的HBM擴大至整個存儲市場。

多位模組廠人士向記者表示，從今年一季度開始，DDR4的原廠價格持續(xù)走高。根據(jù)慢慢買App，一款金士頓（Kingston）的DDR4臺式機內存條，價格從今年3月開始急速上漲，目前售價已超去年同期兩倍。

手機等終端市場也對存儲漲價產(chǎn)生反饋。23日發(fā)售的Redmi K90系列手機部分版本售價較上一代上調了100-400元不等，小米集團總裁盧偉冰對此公開表示，來自上游的成本壓力，已真實的傳導到了其新品定價上。他坦言，無法改變全球供應鏈的走勢，存儲成本上漲也遠高于預期，且會持續(xù)加劇，但小米希望這份誠意能夠讓大家理解。

許家源指出，未來，DDR4供給預計將持續(xù)緊缺，至少延續(xù)至1H26。威剛董事長陳立白也在日前公開表示，看好第四季才是存儲大多頭的起點，也是存儲嚴重缺貨的開始，明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。

對于這種情況，許家源告訴記者，不少下游廠商已經(jīng)在想辦法應對。其中，PC OEMs正在加速導入DDR5機種來應對，而TV、網(wǎng)通等Consumer領域則放緩了由DDR3轉至DDR4的進程。

國內模組廠積極囤貨待漲

在這輪由AI開啟的行業(yè)新周期中，國內存儲產(chǎn)業(yè)鏈的各環(huán)節(jié)正積極調整策略，試圖擴大盈利能力并提升市場地位。

此次“超級周期”對各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)影響存在明顯差異。首先，對于模組廠而言，囤貨成為應對漲價、確保盈利的關鍵。江波龍證券部人士告訴財聯(lián)社記者，上游漲價對公司的毛利率有正向的貢獻，因為公司提前有存貨。許家源也表示，八月以來模組廠已積極儲備顆粒及晶圓（wafer）庫存、并調漲模組產(chǎn)品定價。

不過，并非所有模組廠商都采取大規(guī)模囤貨的政策。朗科科技證券部人士表示，公司采取“清庫存”的運營模式，庫存量相對同行要少一些，因此業(yè)績波動性會小一些。

芯片設計公司和分銷商則更依靠于產(chǎn)業(yè)鏈的價格傳導。

普冉股份（688076.SH）證券部人士向財聯(lián)社記者表示，公司正與下游客戶商談漲價，“四季度開始有一些供給緊張，然后肯定是跟下游商談，想要博弈去看一下是不是能有漲幅?！?/p>

分銷商的香農(nóng)芯創(chuàng)（300475.SZ）證券部人士表示，公司就分銷業(yè)務而言，毛利水平基本上是穩(wěn)定的，但上游采購價格上漲，分銷給下游的價格也會上漲，“存儲的行情影響，對我們影響更多的是量帶來的變化，毛利的變化不會特別大?！?/p>

值得注意的是，國際原廠的漲價需求已傳導至國內晶圓廠。國內一家存儲大廠人士向財聯(lián)社記者表示，國外原廠漲價令部分國產(chǎn)廠商轉向國內晶圓廠。在這種背景下，原廠獲利顯著擴大已是行業(yè)共識。

最后，在這種結構性變革中，國產(chǎn)廠商也正加速擁抱AI新周期。

除積極擴大企業(yè)級SSD等產(chǎn)品的供應，國內企業(yè)正將目光聚焦于HBM、先進封裝和服務器DDR5等高附加值領域，力圖在國際大廠戰(zhàn)略性調整產(chǎn)能之際抓住機遇。

目前，國產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)鏈上較成熟的環(huán)節(jié)在于檢測設備、先進封裝等。賽騰股份(603283.SH)日前在投資者平臺表示，公司HBM檢測設備已得到海外大客戶的認可并已批量出貨，國內市場正在積極開拓中；中微公司（688012.SH）此前也公開表示，已在先進封裝領域（包含高寬帶存儲器HBM工藝）全面布局，包含刻蝕、CVD、PVD、晶圓量檢測設備等，且已經(jīng)發(fā)布CCP刻蝕及TSV深硅通孔設備。

此外，佰維存儲日前表示，公司的晶圓級先進封測制項目正處于投產(chǎn)準備過程中，項目建設完成后將為客戶提供“存儲+晶圓級先進封測”一站式綜合解決方案，進一步提升公司在存算整合領域的核心競爭力。

許家源預測，隨著各大原廠的HBM產(chǎn)能釋放，雖然預計2026年HBM3e可能面臨供過于求壓力，但新世代的HBM4具有技術門檻，仍呈供不應求態(tài)勢。