11 月 13 日消息，據(jù) ChosunBiz 報道，隨著存儲半導(dǎo)體行業(yè)中第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）的競爭愈發(fā)激烈，對下一代 HBM 的需求逐漸顯現(xiàn)，促使三星電子與 SK 海力士加速推進(jìn)研發(fā)進(jìn)程。從第七代 HBM（即 HBM4E）開始，HBM 市場有望從以“通用型”產(chǎn)品為主（即廠商自主開發(fā)并量產(chǎn)、用以確立行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品），逐步轉(zhuǎn)向“定制化”產(chǎn)品 —— 即核心組件（如邏輯裸片）可根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化設(shè)計與供應(yīng)。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星電子與 SK 海力士已設(shè)定目標(biāo)，力爭最早于明年上半年完成 HBM4E 的開發(fā)工作。據(jù)悉，HBM4E 將搭載于包括英偉達(dá)“Rubin”平臺旗艦型號 R300 在內(nèi)的全球大型科技企業(yè)的新一代人工智能（AI）加速器中。鑒于搭載 HBM4E 的 AI 加速器計劃于 2027 年正式發(fā)布，相關(guān)廠商正加速推進(jìn)研發(fā)，以期在明年下半年完成產(chǎn)品品質(zhì)驗證。

鑒于 HBM4E 有望在兩年內(nèi)成為 HBM 市場的主流產(chǎn)品，三星電子與 SK 海力士已全面投入市場爭奪戰(zhàn)。興國證券研究員 Son In-jun 表示：“預(yù)計明年 HBM 需求同比增速將達(dá) 77%，2027 年為 68%；而至 2027 年，HBM4E 將占 HBM 總需求的 40%。”

據(jù)了解，在 HBM4 市場，SK 海力士憑借領(lǐng)先地位鞏固了其“單極主導(dǎo)”格局，并已率先行動：其成為存儲半導(dǎo)體廠商中首家與行業(yè)龍頭英偉達(dá)敲定明年 HBM4 供貨量的公司。據(jù)報道，SK 海力士預(yù)計將供應(yīng)英偉達(dá) Rubin 平臺初期 HBM4 用量中的相當(dāng)大比重。盡管英偉達(dá)已確認(rèn)三星電子已進(jìn)入 HBM4 供應(yīng)鏈，但業(yè)內(nèi)消息稱，雙方供貨談判仍在進(jìn)行中。

然而，隨著市場普遍預(yù)期定制化 HBM 需求將自 HBM4E 起全面爆發(fā)，部分分析認(rèn)為行業(yè)格局或?qū)⒂瓉碇厮?。目前，三星電子與 SK 海力士均正積極布局定制化 HBM 市場，其關(guān)鍵在于 —— 作為 HBM4E“大腦”的“邏輯裸片（Base Die）”可依據(jù)客戶要求進(jìn)行定制化設(shè)計與制造。為及時響應(yīng)這一趨勢，企業(yè)需兼具按客戶需求定制產(chǎn)品設(shè)計的能力，以及先進(jìn)的晶圓代工（Foundry）制程能力。三星電子已全面內(nèi)化上述能力，并自 HBM4 起即采用自家代工工藝生產(chǎn)邏輯裸片，持續(xù)積累實踐經(jīng)驗。

一位半導(dǎo)體行業(yè)人士指出：“目前主流觀點確實認(rèn)為，憑借與英偉達(dá)的緊密合作關(guān)系，SK 海力士有望在 HBM4E 市場延續(xù)領(lǐng)先地位；但另一方面，隨著全球大型科技企業(yè)紛紛自主研發(fā) AI 加速器，對 HBM4E 定制化產(chǎn)品的需求日益多元化，三星電子憑借其具備快速響應(yīng)能力的代工制程技術(shù)與產(chǎn)能儲備，同樣具備顯著優(yōu)勢，市場格局存在重構(gòu)可能?！?/p>

此外，美光（Micron）亦表示正與臺積電（TSMC）展開合作，瞄準(zhǔn) HBM4E 市場。與 SK 海力士自 HBM4 起即采用臺積電代工工藝制造邏輯裸片不同，美光此前在 HBM4 中采用了其自有的先進(jìn) DRAM 工藝。然而，隨著客戶對高性能、定制化產(chǎn)品需求持續(xù)提升，對先進(jìn)代工制程的依賴日益增強，分析認(rèn)為，美光因此轉(zhuǎn)向與臺積電合作，以強化其技術(shù)競爭力。