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Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

　　英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices （CGD） 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN? 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產(chǎn)品，該器件具備業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性、易用性，可實(shí)現(xiàn)歷史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能柵極接口，該接口幾乎消除了典型 e-mode GaN 的弱點(diǎn)，過(guò)壓穩(wěn)健性顯著提高，可提供更高的噪聲抗擾閾值，實(shí)現(xiàn) dV/dt 抑制和 ESD 保護(hù)。與上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶體管的驅(qū)動(dòng)方式與 Si MOSFET 類似，無(wú)需復(fù)雜低效的電路，而是采用商用工業(yè)柵極驅(qū)動(dòng)器。最后，與硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，這使得 H2 ICeGaN HEMT 在高開(kāi)關(guān)頻率下能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗，并縮小尺寸，減輕重量。基于這些優(yōu)勢(shì)，該產(chǎn)品在同類產(chǎn)品中具備領(lǐng)先的效率性能，并且與 SMPS 應(yīng)用中業(yè)界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

發(fā)表于：5/16/2023