電子元件相關(guān)文章 SK 海力士下代HBM將采2.5D扇出封裝 SK 海力士準(zhǔn)備首次將2.5D 扇出（Fan out）封裝作為下一代內(nèi)存技術(shù)。根據(jù)業(yè)內(nèi)消息，SK海力士準(zhǔn)備在HBM后下一代DRAM中整合2.5D扇出封裝技術(shù)。 發(fā)表于：12/14/2023 Melexis推出新款微型3D磁力計，拓展性能極限 2023年12月13日，比利時泰森德洛——全球微電子工程公司Melexis今日宣布，推出Triaxis®微功耗磁力計MLX90394。這是一款基于霍爾效應(yīng)的微型傳感器，其完美的實現(xiàn)低噪音、微電流消耗和成本之間的平衡。該產(chǎn)品具有即時可選模式和先進的可配置性，可實現(xiàn)出色的可復(fù)用性并加快產(chǎn)品上市。這款非接觸式解決方案適用于游戲和工業(yè)外圍設(shè)備中的旋轉(zhuǎn)、線性和3D操縱桿控制。 發(fā)表于：12/14/2023 DELO 工業(yè)粘合劑擴大在醫(yī)療電子產(chǎn)品行業(yè)的影響力 慕尼黑/上海，2023年12月6日 | 總部設(shè)在德國、業(yè)務(wù)遍布全球的粘合劑制造商 DELO 工業(yè)粘合劑現(xiàn)已開始進軍醫(yī)療產(chǎn)品應(yīng)用。公司計劃將其先進的粘合劑、微型化和原材料專業(yè)知識應(yīng)用于血糖監(jiān)測貼片、生物傳感器和微流控等醫(yī)療技術(shù)的研發(fā)，并針對未來客戶的特定應(yīng)用和要求開發(fā)新型醫(yī)用級粘合劑。 發(fā)表于：12/14/2023 SK 海力士擠下三星成服務(wù)器DRAM 霸主 據(jù)TrendForce 研究顯示，受惠工業(yè)級服務(wù)器存儲器DDR5 滲透率大幅提升，今年第三季，SK 海力士（SK hynix）成功擠下三星電子（Samsung Electronics），躍升為全球最大服務(wù)器DRAM 廠商。 發(fā)表于：12/12/2023 內(nèi)存大漲價！ 中國臺灣工商時報11月29日報道，存儲芯片大廠減產(chǎn)保價策略奏效，Q4合約價報價優(yōu)于市場預(yù)期，DDR5上漲15-20％，DDR4上漲10-15％，DDR3上漲10％，漲幅優(yōu)于原先預(yù)估的5-10％。 發(fā)表于：12/12/2023 龍芯中科成功入選世界芯片成果榜、機構(gòu)榜！ 12月4日消息，今日，“龍芯中科”公眾號宣布，龍芯中科成功入選BenchCouncil（國際測試委員會）年度世界芯片成果榜、機構(gòu)榜，龍芯中科董事長胡偉武入選年度世界芯片貢獻榜。 發(fā)表于：12/12/2023 你會特別留意肖特基二極管的這些參數(shù)嗎？ 在肖特基二極管設(shè)計過程中，肖特基二極管與普通二極管有什么區(qū)別，有哪些參數(shù)與特點我們需要留意。本文分享那些電感容易忽略關(guān)鍵參數(shù)。 發(fā)表于：12/12/2023 NAND Flash 晶圓暴漲25%！ 在三星、SK 海力士及美光擴大減產(chǎn)下，NAND Flash wafer 漲勢強勁，隨著終端傳統(tǒng)備貨旺季進入尾聲，存儲器模組廠想逢低布局，但減產(chǎn)后供給減少，反而推高NAND Flash 需求，加劇價格反彈力道，存儲器模組廠只能接受原廠漲價，在原廠還會繼續(xù)漲價的預(yù)期心理下，模組廠持續(xù)搶貨，推升12 月價格漲幅。 發(fā)表于：12/11/2023 對標(biāo)ST、英飛凌 高邊開關(guān)（High-side switches）是指在負(fù)載和地（GND）之間用于控制電流流向的半導(dǎo)體開關(guān)。與傳統(tǒng)的低邊開關(guān)相比，高邊開關(guān)可以提供更好的負(fù)載控制，并且可以在高電壓系統(tǒng)中實現(xiàn)更安全的斷電操作。在電動車和混合動力車等新能源汽車中，由于工作電壓通常比傳統(tǒng)汽車高得多，因此高邊開關(guān)技術(shù)顯得尤為關(guān)鍵。 發(fā)表于：12/11/2023 Nexperia推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。 發(fā)表于：12/11/2023 半導(dǎo)體基礎(chǔ)之晶圓 晶圓是半導(dǎo)體晶體圓片的簡稱，為圓柱狀半導(dǎo)體晶體的薄切片，用于集成電路制程中作為載體的基片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。最常見的是硅晶圓，另外還有氮化鎵晶圓、碳化硅晶圓等；一般晶圓產(chǎn)量多為單晶硅圓片。 發(fā)表于：12/8/2023 英飛凌推出首款全新OptiMOS 7系列技術(shù)的溝槽功率MOSFET 【2023年12月7日，德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計算應(yīng)用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設(shè)計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。 發(fā)表于：12/8/2023 英飛凌創(chuàng)新“耦合模塊”助力土耳其護照實現(xiàn)帶安全芯片的超薄PC電子資料頁 【2023年12月7日，德國慕尼黑】土耳其已簽發(fā)了約500萬本采用了英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）創(chuàng)新的非接耦合模塊（CoM CL）方案的新一代電子護照。該護照所帶之安全芯片采用了高可靠性的耦合封裝技術(shù)、以純非接模式封裝并內(nèi)嵌在聚碳酸酯（PC）材料的資料頁中。護照資料頁包含持證人的個人敏感數(shù)據(jù)。由于個人數(shù)據(jù)對持證人及官方查驗至關(guān)重要，因此官方旅行證件的設(shè)計必須按照高規(guī)格的安全標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，以確保旅行證件具備高安全性來有效防止數(shù)據(jù)篡改和欺詐、成就可全球通用的、互信之身份證明文件。英飛凌創(chuàng)新的非接耦合模塊方案在提供高安全性的前提下，為電子護照、特別是采用PC材料制作的證件帶來更高的穩(wěn)健性。 發(fā)表于：12/8/2023 貿(mào)澤電子開售適用于遠距離邊緣應(yīng)用的Silicon Labs xG28系列SoC 2023年12月1日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起供貨Silicon Labs的FG28片上系統(tǒng) （SoC）。FG28專為遠距離網(wǎng)絡(luò)以及Amazon Sidewalk、Wi-SUN和其他專有協(xié)議而設(shè)計。 發(fā)表于：12/4/2023 英飛凌推出PSoC? 4000T超低功耗微控制器 【2023 年 11 月 27日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出PSoC? 4000T系列微控制器（MCU）。這一全新的MCU系列以出色的信噪比、防水特性和多重傳感功能，以及最高的可靠性和魯棒性，實現(xiàn)了同類最佳的低功耗電容式傳感解決方案。 發(fā)表于：12/2/2023 ?…27282930313233343536…?
