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年底將大規(guī)模量產(chǎn) Intel 18A更多技術(shù)細(xì)節(jié)曝光

今年4月29日，在2025英特爾代工大會（Intel Foundry Direct Connect）上，英特爾正式公布了其最新一代的Intel 18A制程的相關(guān)信息，而2025 VLSI超大規(guī)模集成電路研討會最新披露的資料，進(jìn)一步展示了關(guān)于Intel 18A 的更多技術(shù)細(xì)節(jié)。 Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，相比此前的 FinFET 技術(shù)實現(xiàn)重大飛躍，不僅改進(jìn)了柵極靜電，單位封裝的寬度更高，單位封裝的寄生電容也更小，靈活性也更高。

發(fā)表于：6/19/2025

臺系半導(dǎo)體廠商發(fā)力面板級封裝

6月18日消息，扇出型面板級封裝（FOPLP）被譽(yù)為下一代先進(jìn)封裝的重要方向，除了英特爾、三星等海外晶圓大廠，中國臺灣島內(nèi)的晶圓代工大廠臺積電、半導(dǎo)體封測大廠日月光、內(nèi)存封測龍頭力成等都在積極布局，希望爭奪英偉達(dá)、AMD等大廠的HPC/AI芯片的先進(jìn)封裝商機(jī)。

發(fā)表于：6/18/2025

消息稱英特爾下月全球裁員超萬人

6 月 18 日消息，科技媒體 oregonlive 昨日（6 月 17 日）發(fā)布博文，報道稱英特爾公司計劃在全球范圍內(nèi)裁減最高 20% 的工廠員工，這一舉措將對其核心制造業(yè)務(wù)造成深遠(yuǎn)影響。英特爾制造業(yè)務(wù)副總裁納加?錢德拉塞卡蘭（Naga Chandrasekaran）表示，裁員的目的，是應(yīng)對成本挑戰(zhàn)和當(dāng)前財務(wù)狀況，預(yù)計削減比例為 15%-20%，主要在 7 月實施。

發(fā)表于：6/18/2025

臺積電美國廠完成首批4nm晶圓生產(chǎn)并送往臺灣進(jìn)行封裝

6月17日消息，據(jù)臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達(dá)（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達(dá)到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺灣進(jìn)行封裝。據(jù)了解，這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，其中包括了英偉達(dá)Blackwell AI GPU、蘋果公司面向iPhone的A系列處理器和AMD第五代EPYC數(shù)據(jù)中心處理器。由于臺積電目前在美國沒有封裝廠，因此這些晶圓還需要發(fā)送到中國臺灣的臺積電的先進(jìn)封裝廠利用 CoWoS 技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)封裝。

發(fā)表于：6/18/2025

免費(fèi)PCB打樣平臺有哪些

在硬件開發(fā)的浪潮中，PCB（印刷電路板）作為電子設(shè)備的核心組件，其設(shè)計與制造環(huán)節(jié)至關(guān)重要。為了降低開發(fā)成本、加速產(chǎn)品迭代，越來越多的PCB制造商開始提供免費(fèi)打樣服務(wù)。這一趨勢不僅為電子工程師和中小企業(yè)提供了極大的便利，也推動了整個電子制造業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。本文將深入探討免費(fèi)PCB打樣的起源、目的以及當(dāng)前提供免費(fèi)打樣服務(wù)的廠家。

發(fā)表于：6/18/2025

外交部回應(yīng)中國臺灣將華為和中芯國際列入“黑名單”

6月17日，外交部發(fā)言人郭嘉昆主持例行記者會。有記者提問，有報道稱，臺灣當(dāng)局迫于美國的壓力，已將華為和中芯國際（SMIC）列入臺灣版的實體名單。中方對此有何回應(yīng)？郭嘉昆表示，中方一貫反對美方將科技和經(jīng)貿(mào)問題政治化，泛化國家安全概念，濫用出口管制和長臂管轄，對中國進(jìn)行惡意封鎖打壓，民進(jìn)黨當(dāng)局“跪美媚美”，只會害臺毀臺。

發(fā)表于：6/18/2025

華為四芯片封裝技術(shù)新專利曝光

6月16日消息，據(jù)Tomshardware報道，華為近期已申請一項“四芯片”（quad-chiplet）封裝設(shè)計專利，可能用于下一代AI芯片昇騰910D。

發(fā)表于：6/17/2025

臺積電2nm制程良率已突破60%

臺積電正加快步伐向2nm芯片時代邁進(jìn)。根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》最新報道，這家全球半導(dǎo)體巨頭的2nm制程良率已突破60%，不僅已達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)門檻，更顯著領(lǐng)先競爭對手三星的40%良率水平，顯示其在先進(jìn)制程上的主導(dǎo)地位仍將持續(xù)。

發(fā)表于：6/17/2025

SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購

6 月 16 日消息，韓國媒體 the bell 當(dāng)?shù)貢r間本月 12 日報道稱，在 HBM 市場處于領(lǐng)先地位的 SK 海力士調(diào)整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 級）DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線的設(shè)備采購節(jié)奏，暫緩新技術(shù)應(yīng)用。

發(fā)表于：6/17/2025

臺積電美國工廠已為蘋果等制造出首批芯片晶圓

消息稱臺積電美國亞利桑那州工廠迎來里程碑：已為蘋果等制造出首批芯片晶圓

發(fā)表于：6/17/2025

Cadence與三星晶圓代工就SF2P等制程達(dá)成新多年期IP協(xié)議

6 月 17 日消息，半導(dǎo)體IP 大廠 Cadence 楷登電子當(dāng)?shù)貢r間 16 日宣布擴(kuò)大同三星晶圓代工 (Samsung Foundry) 的合作。雙方簽署了新的多年期協(xié)議，Cadence 的一系列內(nèi)存和接口 IP 將被引入到三星的 SF4X、SF5A 和 SF2P 等制程節(jié)點(diǎn)中。

發(fā)表于：6/17/2025

美國逼迫越南制造脫鉤中國科技

6月16日消息，據(jù)路透社援引三位知情人士透露，美國在與越南的關(guān)稅談判中向其施壓，要求越南降低在當(dāng)?shù)亟M裝、出口至美國的產(chǎn)品中使用中國技術(shù)的比例。 1682277245-yue.jpg 在今年4月初，美國總統(tǒng)特朗普在白宮簽署關(guān)于所謂“對等關(guān)稅”的行政令，宣布對部分國家和地區(qū)加征對等關(guān)稅，其中對越南等進(jìn)口商品加征了46%的關(guān)稅，比當(dāng)時宣布對中國大陸加征的34%關(guān)稅還要高。

發(fā)表于：6/17/2025

HBM未來開發(fā)路線圖揭曉

6月16日消息，據(jù)Tom’s hardware報道，韓國領(lǐng)先的國家研究機(jī)構(gòu) KAIST 近日發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細(xì)介紹了從目前到2038年間，高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演變，展示了HBM在帶寬、容量、I/O寬度和散熱方面的增加。路線圖涵蓋從HBM4到 HBM8的階段，在封裝、3D 堆疊、具有嵌入式 NAND 存儲的以內(nèi)存為中心的架構(gòu)，甚至還包括基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗方面的研究。

發(fā)表于：6/17/2025

ASML EUV光刻路線還能走多遠(yuǎn)？

雖然近期臺積電高管表示，臺積電接下來的A16/A14制程都不會采用ASML售價高達(dá)4億美元的High NA EUV光刻機(jī)（具有0.5數(shù)值孔徑），但是英特爾則已經(jīng)決定在其下一代的Intel 14A制程上選擇采用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行量產(chǎn)。與此同時，為了解決為了的1nm以下制程的制造問題，ASML正在積極的研發(fā)具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)，這也意味著其將面臨更大的技術(shù)挑戰(zhàn)，要知道ASML花了約20年的時間才成功推動標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)的規(guī)模商用。而作為急需在EUV光刻機(jī)上進(jìn)行突破的中國，則將目光瞄向了基于直線電子加速器的自由電子激光技術(shù)的EUV光源（EUV-FEL）技術(shù)。

發(fā)表于：6/16/2025

臺積電與三星激戰(zhàn)2nm

6月16日消息，據(jù)“韓國前鋒報”報導(dǎo)，臺積電和三星電子目標(biāo)都是在今年下半年量產(chǎn)2nm制程芯片，兩大半導(dǎo)體廠的搶單大戰(zhàn)預(yù)計將更加激烈，但三星的良率持續(xù)低于臺積電，成為吸引訂單的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：6/16/2025