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EDA與制造相關(guān)文章

聯(lián)電稱(chēng)與英特爾合作開(kāi)發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)明年通過(guò)驗(yàn)證

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電2024年度營(yíng)運(yùn)報(bào)告書(shū)出爐。其中提到，與英特爾合作開(kāi)發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)2026年完成制程開(kāi)發(fā)并通過(guò)驗(yàn)證。聯(lián)電還披露了封裝領(lǐng)域進(jìn)展，晶圓級(jí)混合鍵合技術(shù)、3D IC異質(zhì)整合等技術(shù)已成功開(kāi)發(fā)，未來(lái)將全面支持邊緣及云端AI應(yīng)用。

發(fā)表于：4/28/2025

SK Hynix展示全球首款16層堆疊HBM4

4月28日消息，據(jù)wccftech報(bào)道，繼今年3月宣布全球首次向客戶(hù)提供12層堆疊HBM4樣品之后，SK海力士在近日的臺(tái)積電北美技術(shù)論壇又首次向公眾展示其最新的16層堆疊HBM4方案。據(jù)SK海力士介紹，其此次展示的16層堆疊HBM4具有高達(dá) 48 GB 的容量、2.0 TB/s 帶寬和額定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die則是由臺(tái)積電代工。SK 海力士表示，他們正在尋求在 2025 年下半年之前進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，這意味著該工藝最早可能在今年年底集成到產(chǎn)品中。

發(fā)表于：4/28/2025

TechInsights：中美關(guān)稅戰(zhàn)將致2026年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)萎縮34%

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月26日，半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TechInsights 發(fā)表它對(duì)目前美國(guó)和中國(guó)之間持續(xù)存在的“關(guān)稅戰(zhàn)爭(zhēng)”對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的負(fù)面影響的看法。

發(fā)表于：4/28/2025

佳能下調(diào)2025年光刻機(jī)銷(xiāo)量至289臺(tái)

4月24日日本股市盤(pán)后，相機(jī)及光刻機(jī)大廠佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）財(cái)報(bào)的同時(shí)，下修了2025年度的整體業(yè)績(jī)預(yù)期。佳能一季度合并營(yíng)收較去年同期增長(zhǎng)7.1%至10584億日元，合并營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)20.5%至965億日元，合并凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)20.5%至722億日元。

發(fā)表于：4/28/2025

中汽研發(fā)布《新能源汽車(chē)電安全技術(shù)年度報(bào)告（2025）》

4 月 28 日消息，中汽中心新能源檢驗(yàn)中心上周發(fā)布了《新能源汽車(chē)電安全技術(shù)年度報(bào)告（2025）》（下稱(chēng)《報(bào)告》）。新能源汽車(chē)以“三電”系統(tǒng)為核心，相比傳統(tǒng)燃油汽車(chē)，存在更多電安全方面的新問(wèn)題新挑戰(zhàn)?！秷?bào)告》指出，新能源汽車(chē)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，部分新技術(shù)沒(méi)有得到充分驗(yàn)證就量產(chǎn)上車(chē)，為行業(yè)發(fā)展留下了潛在安全風(fēng)險(xiǎn)隱患。《報(bào)告》中還分析了我國(guó)新能源汽車(chē)發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，介紹了包括“充電、電磁、功能、高壓、電池、消防”六個(gè)維度的 NESTA 電安全技術(shù)驗(yàn)證體系。

發(fā)表于：4/28/2025

臺(tái)積電升級(jí)CoWoS封裝技術(shù) 目標(biāo)1000W功耗巨型芯片

4月25日消息，如今的高端計(jì)算芯片越來(lái)越龐大，臺(tái)積電也在想盡辦法應(yīng)對(duì)，如今正在深入推進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)，號(hào)稱(chēng)可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級(jí)別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。目前，臺(tái)積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺(tái)積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺(tái)積電用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計(jì)算模塊和多個(gè)HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

發(fā)表于：4/27/2025

臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率

4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒(méi)有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。

發(fā)表于：4/27/2025

臺(tái)積電A14第二代GAA工藝解讀

A14 工藝：技術(shù)亮點(diǎn)深度剖析1、晶體管技術(shù)升級(jí)：從 FinFET 到 GAAFET

發(fā)表于：4/27/2025

傳Intel 18A制程將獲英偉達(dá)博通等廠商訂單

4月25日消息，據(jù)外媒wccftech報(bào)道，英特爾即將量產(chǎn)的最尖端制程工藝Intel 18A在獲得內(nèi)部產(chǎn)品采用的同時(shí)，也將獲得包括英偉達(dá)(Nvidia)、博通(Broadcom)在內(nèi)的幾家ASIC廠商的代工訂單。

發(fā)表于：4/25/2025

三星將逐步停產(chǎn)HBM2E 轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4

DDR4之后三星將逐步停產(chǎn)HBM2E：轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4

發(fā)表于：4/25/2025

傳統(tǒng)晶體管的極限臺(tái)積電3nm N3P已量產(chǎn) N3X馬上來(lái)

4月24日消息，除了發(fā)展N2、A16、A14等采用GAAFET全環(huán)繞晶體管的全新工藝，臺(tái)積電還在持續(xù)挖掘傳統(tǒng)FinFET立體晶體管的極限，最后一代用它的N3系列工藝節(jié)點(diǎn)仍在不斷演進(jìn)。

發(fā)表于：4/24/2025

《芯片戰(zhàn)爭(zhēng)》作者發(fā)聲：美國(guó)半導(dǎo)體關(guān)稅將得不償失

4月23日消息，針對(duì)美國(guó)特朗普政府在發(fā)起全球關(guān)稅戰(zhàn)之后，還將計(jì)劃對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)加征關(guān)稅一事，《芯片戰(zhàn)爭(zhēng)》作者（Chip War）作者米勒（Chris Miller）近日在《金融時(shí)報(bào)》發(fā)文表示，美國(guó)此舉的本意可能是加強(qiáng)美國(guó)制造，但實(shí)際的效果可能適得其反，可能還會(huì)加劇企業(yè)在海外制造，建議應(yīng)與日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和歐洲合作建立全球芯片產(chǎn)業(yè)，讓半導(dǎo)體的生產(chǎn)既可靠、又具效率。

發(fā)表于：4/24/2025

臺(tái)積電發(fā)布SoW-X晶圓尺寸封裝系統(tǒng)

4 月 24 日消息，臺(tái)積電 2025 年北美技術(shù)論壇不僅公布了最先進(jìn)的 A14制程，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域也有多項(xiàng)重要信息公布。

發(fā)表于：4/24/2025

DDR4市場(chǎng)生變美光緊隨三星削減產(chǎn)能

4月23日消息，據(jù)媒體報(bào)道，繼三星從2025年4月起停止生產(chǎn)1y和1z納米工藝的8GB DDR4產(chǎn)品后，美光也通知客戶(hù)將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊。同時(shí)，SK海力士也在削減DDR4產(chǎn)能，將其生產(chǎn)份額降至20%，這反映了整個(gè)行業(yè)的趨勢(shì)，內(nèi)存制造商加速產(chǎn)品過(guò)渡，將資源更多地投入到高端產(chǎn)品如HBM和DDR5中。

發(fā)表于：4/24/2025

Intel 18A工藝雄心遇挫旗艦2納米芯片據(jù)稱(chēng)將外包給臺(tái)積電生產(chǎn)

據(jù)媒體報(bào)道，英特爾正委托臺(tái)積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU?？紤]到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過(guò)臺(tái)積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號(hào)。

發(fā)表于：4/24/2025