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業(yè)界動態(tài)

英特爾俄勒岡州晶圓廠實際裁員規(guī)模擴大四倍

7月14日消息，綜合外媒KGW及Oregon Live報道，英特爾在上周已經(jīng)計劃在美國裁員4000人，其中俄勒岡州晶圓廠成為了重災(zāi)區(qū)，裁員人數(shù)從原來的 529 人大幅增加到了 2,329 人。

發(fā)表于：7/15/2025 9:19:00 AM

傳Intel 18A制程良率達(dá)55%

7月14日消息，據(jù)外媒KeyBanc報道，英特爾最新的Intel 18A制程良率已經(jīng)提升到了55%，預(yù)計將于今年四季度量產(chǎn)，將率先導(dǎo)入下一代移動處理器，目標(biāo)良率是提升到70%。

發(fā)表于：7/15/2025 9:05:58 AM

廣東金力傳動研發(fā)多維清潔機器人靈巧手

月15日消息，據(jù)europapress援引消息人士透露，芯片設(shè)計大廠博通（Broadcom）已取消在西班牙興建半導(dǎo)體封測廠的計劃。

發(fā)表于：7/15/2025 8:58:00 AM

英特爾已跌出前十大半導(dǎo)體公司

7月11日消息，據(jù)oregonlive報道，近日，英特爾CEO陳立武（Lip-Bu Tan）在公司內(nèi)部發(fā)表講話，他不認(rèn)為英特爾是領(lǐng)先的芯片公司之一，因為英特爾已經(jīng)跌出了全球前十大半導(dǎo)體廠商，目前面臨嚴(yán)峻的技術(shù)和財務(wù)挑戰(zhàn)的英特爾正在大規(guī)模裁員。

發(fā)表于：7/14/2025 1:59:08 PM

臺積電美國2nm晶圓廠年底前將完成發(fā)包

7月14日消息，臺積電法說會將于17日登場，美國關(guān)稅沖擊及在美建廠進度備受關(guān)注。據(jù)臺媒《工商時報》援引供應(yīng)鏈透露，盡管面臨關(guān)稅壓力，臺積電仍持續(xù)強化對客戶的供應(yīng)能力，美國亞利桑那州首批三座晶圓廠進度加快：P1廠采用4nm制程，已于2024年第四季投產(chǎn)；P2廠已經(jīng)于今年4月動工，規(guī)劃3nm制程，預(yù)定2027年下半年量產(chǎn)；而原定2030年底完工的規(guī)劃2nm及更先進產(chǎn)能的P3廠，現(xiàn)已啟動加速流程，預(yù)計將于2025年底前完成發(fā)包。

發(fā)表于：7/14/2025 1:56:33 PM

中國移動聯(lián)合GTI發(fā)布6G開放試驗裝置

7月10日，2025年GTI國際論壇在瑞士日內(nèi)瓦舉辦，中國移動聯(lián)合GTI，攜手中關(guān)村泛聯(lián)院、中信科移動、vivo等合作伙伴在論壇上共同發(fā)布“6G開放試驗裝置”（6G　Open　Testbed），并宣布首批30余家產(chǎn)學(xué)研合作伙伴入駐。

發(fā)表于：7/14/2025 11:55:37 AM

Intel 18A工藝良率已超越三星2nm

7月14日消息，據(jù)報道，KeyBanc Capital Markets的分析報告顯示，Intel 18A工藝的良率已從上一季度的50%提升至55%，與競爭對手的對比中脫穎而出。相比之下，三星的2nm工藝（SF2）目前的良率大約在40%左右，而Intel 18A工藝的良率已經(jīng)超越了三星2nm。

發(fā)表于：7/14/2025 11:51:29 AM

10億投入打水漂濾波器之光見聞錄半導(dǎo)體遭破產(chǎn)審查

見聞錄半導(dǎo)體由創(chuàng)始人盛荊浩于 2016 年創(chuàng)立，此前其曾任職于日本東京精密，后企業(yè)遷址至湖州。公司成立之初，便瞄準(zhǔn) 5G 射頻領(lǐng)域中高頻濾波器這一 “卡脖子” 難題，選擇技術(shù)門檻較高的 IDM 模式，即集芯片設(shè)計、制造、封裝測試及銷售為一體，試圖在體聲波濾波器領(lǐng)域取得突破。

發(fā)表于：7/14/2025 11:44:41 AM

LG電子啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)追逐未來HBM內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù)

7 月 13 日消息，韓媒 SEDaily 今日報道稱，LG 電子下屬的生產(chǎn)技術(shù)研究所 (PTI) 已啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)，目標(biāo)在 2028 年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。混合鍵合未來將毫無疑問地成為 16+ 層堆疊 HBM 內(nèi)存堆棧構(gòu)建的關(guān)鍵技術(shù)，其采用無凸塊的銅-銅鍵合，縮小各層 DRAM Die 間距，能在有限的高度內(nèi)實現(xiàn)更高層數(shù)堆疊，且具備更低發(fā)熱。目標(biāo)。

發(fā)表于：7/14/2025 11:39:47 AM

傳英特爾在臺積電2nm制程完成Nova Lake處理器芯片流片

7 月 14 日消息，媒體 SemiAccurate 本月 10 日報道稱，英特爾數(shù)周前在臺積電 2nm 制程節(jié)點 N2 完成了 Nova Lake 處理器芯片的流片 (Tape-out)，下一步將是上電運行 (Power On)。

發(fā)表于：7/14/2025 11:34:19 AM