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Diodes高速邏輯系列74AHC1Gxx提供完善性能升級

Diodes公司推出完整的先進高速CMOS邏輯器件系列，實現(xiàn)比現(xiàn)有同類高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費電子產(chǎn)品的行業(yè)標準邏輯器件。

發(fā)表于：4/26/2011

MEMS是否會走CMOS的演進路線

MEMS市場2010年強勁增長，營業(yè)收入同比增長18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數(shù)增長周期的開始，其增長趨勢將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長動力將是消費電子和手機市場，這些市場將同比增長25%。在消費電子和手機市場，2011年MEMS營業(yè)收入將從2010年的16億美元增長到21億美元。IHS iSuppli公司預(yù)測，到2014年，消費電子和手機領(lǐng)域的MEMS營業(yè)收入將達到37億美元。如此巨大的市場需求自然也引起了整個產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)注。

發(fā)表于：4/26/2011

高Q積層電感可保持高頻電路不受干擾

手機設(shè)計得越來越小，然而功能也日益復(fù)雜，從而對所有元件的微型化和性能要求更高，當然也包括電感的性能要求。尤其對積層電感，不僅要求尺寸更小，還應(yīng)達到高Q等級。TDK-EPC通過進一步提高低溫共燒陶瓷（LTCC）多層基材的工藝技術(shù)已達到該要求。

發(fā)表于：4/26/2011

MEMS壓力傳感器原理與應(yīng)用

MEMS（微電子機械系統(tǒng)）是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統(tǒng)。

發(fā)表于：4/26/2011

Maxim推出具有無痕存儲器的安全管理器

Maxim推出DS3660具有1024字節(jié)無痕存儲器的安全管理器，器件可安全存儲敏感數(shù)據(jù)。片上無痕存儲器包含8個128字節(jié)存儲區(qū)，基于用戶指定的篡改事件，這些存儲區(qū)可由終端用戶選擇清除。此外，DS3660還具有內(nèi)置1.8V偏置電源給外部低電壓SRAM(可用于儲存不太重要的數(shù)據(jù))供電，器件也可配置為與低電壓微處理器一起工作用于電池供電的設(shè)備。通過篡改檢測輸入(與外部傳感器接口)與內(nèi)部篡改監(jiān)視器的聯(lián)合工作，器件可提供最高等級的系統(tǒng)安全。DS3660特別適合用于超級安全的場合，比如政府和軍用系統(tǒng)，也適用于需要監(jiān)視超過一個篡改觸發(fā)器的其它場合。

發(fā)表于：4/25/2011

Vishay官方網(wǎng)站發(fā)布日文、中文和韓文企業(yè)宣傳視頻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，在公司網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上推出日文、中文和韓文的企業(yè)宣傳視頻。該視頻展示了Vishay的系列產(chǎn)品、設(shè)計和制造資源、可信賴的高品質(zhì)元器件交付能力、廣泛的應(yīng)用支持，以及遍布全球的供應(yīng)鏈。

發(fā)表于：4/25/2011

傳感器與變送器的區(qū)別及聯(lián)系

傳感器是能夠受規(guī)定的被測量并按照一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用輸出信號的器件或裝置的總稱,通常由敏感元件和轉(zhuǎn)換元件組成。當傳感器的輸出為規(guī)定的標準信號時，則稱為變送器。變送器的概念是將非標準電信號轉(zhuǎn)換為標準電信號的儀器，傳感器則是將物理信號轉(zhuǎn)換為

發(fā)表于：4/25/2011

壓力傳感器的工作原理及其應(yīng)用

壓力傳感器是工業(yè)實踐中最為常用的一種傳感器，其廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)自控環(huán)境，涉及水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天、軍工、石化、油井、電力、船舶、機床、管道等眾多行業(yè)，下面就簡單介紹一些常用傳感器原理及其應(yīng)用。

發(fā)表于：4/25/2011

CMOS圖像傳感器的IP策略

CMOS圖像傳感器依然是半導(dǎo)體行業(yè)中成長最快的市場之一。手機、驅(qū)動該市場不斷穩(wěn)固增長，并且在可以預(yù)知的未來還將繼續(xù)蓬勃發(fā)展。CMOS圖像傳感器2004年總收入的年增長率為65.9%，并有望在2007年達到46.4億美元。

發(fā)表于：4/25/2011

ADI的第三次MEMS革命

熟悉ADI的人都知道，在車用MEMS領(lǐng)域，ADI有著經(jīng)典的成功案例，也曾被收錄進MBA教程。如今，借由正熱播的愛麗絲及鋼鐵俠，ADI高調(diào)宣布其MEMS技術(shù)已成功進入了好萊塢，標志著第三次MEMS革命的帷幕即將拉開。我們也很想聽聽ADI是如何解讀此次合作的。以下是EEWORLD專訪ADI MEMS市場應(yīng)用經(jīng)理Howard Wisniowski的采訪實錄，通過Xsens，我們可以發(fā)現(xiàn)，iPhone 4用到的MEMS太“小兒科”了。

發(fā)表于：4/25/2011

恒定電流驅(qū)動的電橋式傳感器驅(qū)動/放大電路

應(yīng)變儀、磁性電阻元件、半導(dǎo)體壓力傳感器等以電橋方式工作是很常見的。置方式有平衡驅(qū)動和方法又抱括恒壓驅(qū)動和恒流驅(qū)動。本電路用數(shù)MA的恒定電流使傳感器不平衡置偏，由儀表放大器接收。傳感器采用擴散式壓力傳感器P-3000S-102G，壓力范圍為0~1KG/CM2。

發(fā)表于：4/25/2011

電阻簡介以及電阻燒壞的原因

可以從電阻的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來解釋。電阻內(nèi)部其實是一圈一圈的線連起來的，電阻燒了就是里面的線燒斷了，相當于斷路。

發(fā)表于：4/25/2011

基于NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦寫操作的最小單元，頁是讀寫操作的最小單元。由于閃存存儲器的硬件特性，閃存的更新操作有自己的特點，在對數(shù)據(jù)進行更新前需要先進行擦寫操作，然后才能將新數(shù)據(jù)寫入，并且擦寫操作是以塊為單位，讀寫操作是以頁為單位。

發(fā)表于：4/25/2011

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

目前市場上閃存芯片主要有兩類，即NAND Flash（Not And Flash ROM）和NOR Flash（Not Or Flash ROM）。前者具有容量大、讀寫速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點，更適合于大批量數(shù)據(jù)存儲的嵌入式系統(tǒng)。如今Windows仍是桌面系統(tǒng)的主流，對FAT文件系統(tǒng)提供了天然的支持。然而就技術(shù)而言，F(xiàn)AT文件系統(tǒng)并不適合Flash，因為Flash設(shè)備并不是塊設(shè)備［1］，為了不破壞兼容性，并在NAND型閃存中應(yīng)用FAT文件系統(tǒng)，國際上提出了閃存轉(zhuǎn)譯層FTL（Flash Translation Layer）的解決方案。

發(fā)表于：4/24/2011

分布式源場極板結(jié)構(gòu)射頻LDMOS器件的設(shè)計

為了減小射頻LDMOS器件中場極板寄生電容，提出一種具有分布式源場極板結(jié)構(gòu)的射頻LDMOS器件，給出了器件結(jié)構(gòu)及工藝流程。借助微波EDA軟件AWR對場極板進行了三維電磁仿真優(yōu)化設(shè)計。仿真及測試結(jié)果表明!所設(shè)計的分布式源場極板結(jié)構(gòu)在不影響器件擊穿電壓的條件下，能有效減小LDMOS器件寄生電容!提升器件增益#效率及線性度等射頻性能。

發(fā)表于：4/24/2011