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微波射頻相關(guān)文章

淺析杜比耳機(jī)技術(shù)

杜比耳機(jī)技術(shù)使你能用傳統(tǒng)的立體聲耳機(jī)來(lái)欣賞多聲道節(jié)目，例如杜比數(shù)字(DolbyDigital)或者杜比環(huán)繞聲(DolbySurround)編碼的電影節(jié)目，你能感受到震撼、真實(shí)的環(huán)繞聲效。本文詳細(xì)介紹了杜比耳機(jī)技術(shù)。

發(fā)表于：10/20/2010

Spansion公司擴(kuò)大串行閃存產(chǎn)品線，發(fā)布小扇區(qū)閃存系列

日前，Spansion(NYSE: CODE)宣布推出全新Spansion® FL-K串行接口 (SPI) 小扇區(qū)架構(gòu)閃存產(chǎn)品線（S25FL-K）。Spansion FL-K系列支持統(tǒng)一4-千字節(jié)（KB）的小扇區(qū)設(shè)計(jì)。目前整個(gè)Spansion SPI產(chǎn)品組合覆蓋密度范圍為4Mb至256Mb，是市場(chǎng)上最廣泛的產(chǎn)品組合之一。

發(fā)表于：10/20/2010

基于多數(shù)決定邏輯門的低功耗全加器設(shè)計(jì)

全加器是算術(shù)運(yùn)算的基本單元，提高一位全加器的性能是提高運(yùn)算器性能的重要途徑之一。首先提出多數(shù)決定邏輯非門的概念和電路設(shè)計(jì)，然后提出一種基于多數(shù)決定邏輯非門的全加器電路設(shè)計(jì)。該全加器僅由輸入電容和CMOS反向器組成，較少的管子、工作于極低電源電壓、短路電流的消除是該全加器的三個(gè)主要特征。對(duì)這種新的全加器，用PSpice進(jìn)行了晶體管級(jí)模擬。結(jié)果顯示，這種新的全加器能正確完成加法器的邏輯功能。

發(fā)表于：10/19/2010

Vishay推出業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻 --- WSLP0603，該電阻是業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有10mΩ～100mΩ，可在+170℃的高溫下工作。　

發(fā)表于：10/19/2010

Vishay Siliconix 推出新款超低導(dǎo)通電阻

器件具有低至0.38 Ω的導(dǎo)通電阻和68nC的柵極電荷，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝

發(fā)表于：10/18/2010

Maxim推出內(nèi)置鉗位二極管的發(fā)送/接收(T/R)開(kāi)關(guān)

Maxim推出完全集成的八通道高壓發(fā)送/接收(T/R)開(kāi)關(guān)MAX4936/MAX4937。這兩款開(kāi)關(guān)內(nèi)置鉗位二極管，用于隔離低壓接收通道與高壓發(fā)送通道，保護(hù)接收器輸入不會(huì)被T/R開(kāi)關(guān)漏電流產(chǎn)生的電壓尖峰損壞。與分立電路方案相比，Maxim的集成方案可節(jié)省超過(guò)50%的電路板空間，并且具有寬帶、低抖動(dòng)和低信號(hào)失真特性。MAX4936/MAX4937理想用于對(duì)電路板空間要求嚴(yán)格的超聲成像和工業(yè)探傷應(yīng)用。

發(fā)表于：10/15/2010

關(guān)于功率二極管的疑難解析

疑難解析關(guān)于功率二極管問(wèn)題。

發(fā)表于：10/14/2010

電子元器件封裝秘籍大公開(kāi)

BGA(ballgridarray)球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹(shù)脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過(guò)200，是多引腳LSI用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。

發(fā)表于：10/14/2010

MOSFET雙峰效應(yīng)的簡(jiǎn)單評(píng)估方法

隨著超大型集成電路(VLSI)的快速發(fā)展，淺溝槽隔離(STI)技術(shù)在MOSFET制成中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)MOSFET的有效通道長(zhǎng)度(L)和寬度(W)的尺寸越來(lái)越小時(shí)，一種MOS器件的失效模式：雙峰效應(yīng)(double-hump)也越來(lái)越受到人們的重視。

發(fā)表于：10/14/2010

柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響分析

柵極電阻影響IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，從電磁干擾EMI到電壓和電流的變化率。因此，柵極電阻必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。

發(fā)表于：10/14/2010

一種基于RFID的移動(dòng)目標(biāo)監(jiān)控系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

以NRF2401和Atmega8L為硬件核心，設(shè)計(jì)了一個(gè)RFID監(jiān)控系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜電磁環(huán)境下的移動(dòng)目標(biāo)跟蹤監(jiān)控。針對(duì)信號(hào)頻率、標(biāo)簽容量、識(shí)別效率間的關(guān)系，從理論上進(jìn)行描述和分析，結(jié)合單片機(jī)的處理速度，對(duì)系統(tǒng)的標(biāo)簽容量進(jìn)行了估算，得出了掃描次數(shù)、標(biāo)簽容量以及系統(tǒng)效率三者之間的關(guān)系；通過(guò)實(shí)驗(yàn)，對(duì)系統(tǒng)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，得到閱讀器在不同發(fā)射功率下的通信距離等相關(guān)數(shù)據(jù)，適當(dāng)選擇系統(tǒng)工作頻率能較好地控制誤碼率，提高系統(tǒng)工作的可靠性。實(shí)驗(yàn)表明，在系統(tǒng)功率參數(shù)一定的條件下，單標(biāo)簽掃描次數(shù)與系統(tǒng)的識(shí)別效率和吞吐量存在一定關(guān)系，適當(dāng)選擇可使系統(tǒng)性能最優(yōu)化。

發(fā)表于：10/14/2010

工程熱設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)解讀

在調(diào)試或維修電路的時(shí)候，我們常提到一個(gè)詞“××燒了”，這個(gè)××有時(shí)是電阻、有時(shí)是保險(xiǎn)絲、有時(shí)是芯片，可能很少有人會(huì)追究這個(gè)詞的用法，為什么不是用“壞”而是用“燒”？其原因就是在機(jī)電產(chǎn)品中，熱失效是最常見(jiàn)的一種失效模式，電流過(guò)載，局部空間內(nèi)短時(shí)間內(nèi)通過(guò)較大的電流，會(huì)轉(zhuǎn)化成熱，熱聚。集不易散掉，導(dǎo)致局部溫度快速升高，過(guò)高的溫度會(huì)燒毀導(dǎo)電銅皮、導(dǎo)線和器件本身。

發(fā)表于：10/13/2010

一種用于壓力傳感器的溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一種用于壓力傳感器的溫度控制系統(tǒng)，針對(duì)壓力傳感器在高溫下易產(chǎn)生零點(diǎn)漂移等問(wèn)題，加工了恒溫封閉腔體，把壓力傳感器置入其中，通過(guò)控制系統(tǒng)控制腔體內(nèi)的溫度，解決了高溫壓力傳感器大溫度范圍難以補(bǔ)償?shù)膯?wèn)題，從而可以提高測(cè)量精度，通過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)相印證，本方案是可行的。

發(fā)表于：10/13/2010

接觸式溫度傳感器的選擇和使用

本文主要講述接觸式溫度傳感器的選擇和使用。

發(fā)表于：10/13/2010

光電式探絲傳感器的設(shè)計(jì)

該紅外光電式探絲傳感器經(jīng)過(guò)反復(fù)的設(shè)計(jì)和試驗(yàn), 各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到較好的水平，其低電平輸出小于0.1V，正常功耗小于0.3W，負(fù)載電流可達(dá) 800mA，短路保護(hù)電流為1A，斷絲響應(yīng)時(shí)間小于0.5s，電源延遲時(shí)間為4s，觸摸延時(shí)時(shí)間為15s，可以檢測(cè)不同材質(zhì)種類的斷絲。

發(fā)表于：10/13/2010