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科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術突破, 為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本

包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-09

 

碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)將重新界定大功率應用的性能和能效,推出全新產品系列— 50A碳化硅功率器件。該產品系列不僅包括業(yè)界首款1700V Z-FET碳化硅MOSFET器件,還包括1200V Z-FET碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec®碳化硅肖特基二極管,能夠提供創(chuàng)紀錄的能效以及比傳統(tǒng)技術更低的擁有成本,開創(chuàng)了新一代電源系統(tǒng)。

科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式,針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設備以及電機驅動器等大功率模組應用進行設計。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠為系統(tǒng)擁有成本設定新的標準。

科銳副總裁兼功率與射頻總經理Cengiz Balkas表示:“正是科銳通過不斷的創(chuàng)新,以及科銳在碳化硅領域獨創(chuàng)的材料技術、晶圓片工藝和器件設計,才使得這樣技術突破得以實現(xiàn)。大尺寸的芯片能夠實現(xiàn)更多的優(yōu)勢,使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應用中應用,從而能夠取代在大功率、高電壓應用領域中的低效傳統(tǒng)硅IGBT器件。”

該系列高額定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術屢創(chuàng)第一的傳統(tǒng),如業(yè)界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一個量產1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

科銳全新產品系列50A碳化硅器件包括40mΩ1700V MOSFET器件、25mΩ1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V和50A/650V肖特基二極管。該產品系列現(xiàn)已提供樣品及基礎數(shù)據表,預計2012年秋實現(xiàn)量產。如需索取樣品及進一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情,敬請訪問:www.cree.com/power。

關于科銳(CREE

科銳成立于1987年,是美國上市公司(1993年,納斯達克:CREE),為全球LED外延、芯片、封裝、LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領先者。科銳LED 照明產品的優(yōu)勢體現(xiàn)在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等方面獨一無二的材料技術與先進的白光技術,擁有1,300多項美國專利、2,900多項國際專利和389項中國專利(以上包括已授權和在審專利),使得科銳LED產品始終處于世界領先水平。科銳照明級大功率LED,具有光效高、色點穩(wěn)、壽命長等優(yōu)點。科銳在向客戶提供高質量、高可靠發(fā)光器件產品的同時也向客戶提供成套的LED照明解決方案。科銳碳化硅金屬氧化物半導體場效應管開關器件(MOSFET Switch)的導通電阻小、溫度系數(shù)穩(wěn)、漏電流低、開關時間短,以及科銳碳化硅肖特基功率二極管(Schottky Power Diode)零反向恢復電流等特性,使得科銳碳化硅功率器件特別適用于高頻、高效、高功率密度、高可靠性需求的電力電子系統(tǒng)。

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