經(jīng)歷多次挫折后，三星電子的12層HBM3E高寬帶存儲芯片終于獲得算力巨頭英偉達的首肯。

據(jù)知情人士透露，三星的第五代12層HBM3E近期剛通過英偉達的資格測試。這一批準距離三星完成芯片開發(fā)已有18個月之久，期間的數(shù)次測試均未能滿足英偉達苛刻的性能要求。

技術(shù)資料顯示，英偉達的旗艦B300人工智能加速器，以及AMD的MI350等系統(tǒng)均部署這種大容量存儲芯片。三星此前已經(jīng)向AMD出貨該芯片，但一直卡在英偉達的供應(yīng)商門檻前。因此，這一認證也有恢復三星技術(shù)信譽的重要作用。

業(yè)內(nèi)人士透露，這一成就很大程度上歸功于三星電子芯片業(yè)務(wù)負責人全永賢年初拍板重新設(shè)計HBM3E的DRAM核心，解決了早期版本的熱性能問題。

但由于三星是SK海力士、美光科技后第3家獲得批準的供應(yīng)商，消息人士稱英偉達的訂單量仍會相對較少。因此一位業(yè)界高管評價稱：“供貨英偉達對于三星而言，更多是關(guān)乎自豪感，而非營收。得到英偉達的認可意味著其技術(shù)已重回正軌。”

三星HBM4逆襲成功：祭出頂級1c工藝 性能暴漲37%

前不久SK海力士宣布全球首發(fā)量產(chǎn)HBM4，但他們使用的還是第五代10nm級工藝1b，三星直接把最先進工藝用于HBM4了，在平澤的P5工廠直接上馬了第六代10nm級DRAM工藝——1c工藝。

憑借1c工藝以及4nm邏輯工藝上的積累，三星將HBM4的頻率做到了11Gbps，這意味著它比標準版HBM4的8Gbps性能提升了37.5%。

NVIDIA為了對抗AMD明年的MI450系列AI顯卡，正在要求供應(yīng)商將HBM4的頻率提升到10Gbps，三星率先做到11Gbps，顯然有助于他們獲得NVIDIA的訂單。

現(xiàn)在三星算是在技術(shù)上先逆襲了，不過最終能不能拿下NVIDIA及AMD的訂單，還得看后續(xù)，包括產(chǎn)能及定價。

誰將引領(lǐng)HBM4供應(yīng)？

從目前的競爭態(tài)勢來看，SK海力士因其穩(wěn)定的量產(chǎn)能力和與英偉達深厚的合作歷史，仍處于相對有利的位置。而三星則需在技術(shù)推進和產(chǎn)能保障兩方面同時發(fā)力，才有可能在HBM4時代實現(xiàn)更顯著的市場突破。這一動態(tài)也反映出HBM行業(yè)的技術(shù)競爭正逐漸從堆疊層數(shù)和容量擴展，轉(zhuǎn)向制程精度、信號速率及整體能效的全面提升。

HBM4的市場格局尚未最終確定，供應(yīng)商之間的技術(shù)較量與戰(zhàn)略合作仍將持續(xù)。未來幾個季度中，英偉達的決策、AMD產(chǎn)品的市場表現(xiàn)以及全球AI加速器需求的變化，都將深刻影響HBM4供應(yīng)鏈的權(quán)力分配。無論結(jié)果如何，行業(yè)技術(shù)的整體進步與市場競爭的白熱化，最終將推動高帶寬內(nèi)存向更高性能、更優(yōu)成本的方向發(fā)展。