11 月 4 日消息，SK 集團(tuán)本年度的 AI 峰會(huì)正在韓國(guó)首爾舉行，在昨日的主題演講中，SK 海力士社長(zhǎng)郭魯正公布了該企業(yè)的存儲(chǔ)路線圖：

在 2026~2028 年的近期，SK 海力士將推出 16 層堆疊的 HBM4 內(nèi)存，并從 HBM4E 開(kāi)始供應(yīng)定制化 HBM 解決方案；通用 DRAM 部分則將提供 LPDDR5R、標(biāo)準(zhǔn)與集成計(jì)算功能的 LPDDR6；至于 NAND 部分則將見(jiàn)到 PCIe Gen6 企業(yè)級(jí)與客戶端固態(tài)硬盤和 UFS 6.0 的誕生。

對(duì)于 2029~2031 年的中期，SK 海力士則將全面進(jìn)入 HBM5 (E) 世代；通用 DRAM 領(lǐng)域下一代 GDDR、DDR6 以及晶體管結(jié)構(gòu)上發(fā)生重大變化的 3D DRAM 都將面世；至于 NAND 部分，400+ 層堆疊 NAND、PCIe Gen7 SSD、UFS 6.0 都將到來(lái)。

在 SK 海力士的設(shè)想中，定制 HBM 的一大變化是將協(xié)議及其它、控制器等部分從 XPU 芯片移至 HBM 的基礎(chǔ)裸片 (Base Die) 中，為計(jì)算單元挪出更多空間，并降低數(shù)據(jù)接口方面的能耗。

SK 海力士為 AI 時(shí)代的 DRAM 內(nèi)存劃出了三大發(fā)展方向：以低功耗高性能降低 TCO 的 AI-D O、集成計(jì)算能力跨越內(nèi)存墻的 AI-D B、擴(kuò)展應(yīng)用領(lǐng)域的 AI-D E。