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業(yè)界動(dòng)態(tài)

二季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長20%

據(jù)媒體報(bào)道，AI驅(qū)動(dòng)以HBM3E和高容量DDR5為代表的高價(jià)值DRAM需求持續(xù)增長，以及二季度存儲(chǔ)原廠EOL通知刺激傳統(tǒng)DDR4/LPDDR4X價(jià)格與需求快速攀升的雙重驅(qū)動(dòng)下，2025年二季度全球DRAM市場規(guī)模環(huán)比增長20%至321.01億美元，創(chuàng)歷史季度新高。

發(fā)表于：8/20/2025 9:06:42 AM

曝英偉達(dá)正為中國打造更強(qiáng)AI芯片B30A

曝NVIDIA正為中國打造更強(qiáng)AI芯片B30A：基于最新Blackwell架構(gòu) 性能遠(yuǎn)超H20

發(fā)表于：8/19/2025 3:16:49 PM

國電車產(chǎn)業(yè)鏈海外投資額超過國內(nèi)

中國電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈的全球布局正在迎來一個(gè)分水嶺。根據(jù)美國研究機(jī)構(gòu)榮鼎咨詢周一發(fā)布的報(bào)告，中國電車供應(yīng)鏈企業(yè)去年海外投資約160億美元，略高于國內(nèi)150億美元的投資額，打破了此前多年約80%投資集中在國內(nèi)的格局。

發(fā)表于：8/19/2025 2:22:22 PM

傳英偉達(dá)將自研HBM Base Die

8月18日消息，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，人工智能（AI）芯片大廠英偉達(dá)已經(jīng)啟動(dòng)下一代高帶寬內(nèi)存HBM底層芯片（ Base Die）的自研計(jì)劃，并且未來英偉達(dá)無論需要家供應(yīng)商的HBM，其底層的邏輯芯片都將采用英偉達(dá)的自研方案，預(yù)計(jì)首款產(chǎn)品將使用3nm制程打造，最快將于2027年下半年開始試產(chǎn)。

發(fā)表于：8/19/2025 12:35:32 PM

ASML向中國出口光刻機(jī)利潤曝光

8月19日消息，近日，我國駐愛爾蘭特命全權(quán)大使趙希源接受采訪時(shí)表示，荷蘭公司對(duì)華出口一臺(tái)光刻機(jī)利潤相當(dāng)于20萬噸豬肉。過去數(shù)十年中愛經(jīng)貿(mào)合作保持穩(wěn)定增長勢(shì)頭，但2023年愛對(duì)華出口出現(xiàn)了明顯下降，原因是半導(dǎo)體出口受到了美出口管制政策的限制。荷蘭公司向中國出口一臺(tái)光刻機(jī)，獲得的利潤約等于向中國出口20萬噸豬肉。但受所謂國家安全因素和外部壓力影響，我們似乎對(duì)彼此缺乏足夠的信任，導(dǎo)致在這些領(lǐng)域合作中遭遇一些障礙。

發(fā)表于：8/19/2025 11:51:00 AM

臺(tái)積電美國4nm晶圓廠已實(shí)現(xiàn)盈利

8月18日消息，據(jù)臺(tái)積電財(cái)報(bào)顯示，今年二季度臺(tái)積電稅后凈利潤為新臺(tái)幣3,982.7億元，其中剛量產(chǎn)不久的美國晶圓廠（TSMC Arizona）繳出稅后凈利潤為新臺(tái)幣42.32億元，首度為母公司貢獻(xiàn)投資收益，與日本熊子公司JASM持續(xù)虧損的狀態(tài)呈現(xiàn)出鮮明的對(duì)比。

發(fā)表于：8/19/2025 11:47:18 AM

傳英偉達(dá)H20將漲價(jià)18%！

8月18日消息，在英偉達(dá)通過向美國特朗普政府上交15%銷售以換取H20芯片對(duì)華出口許可之后，有分析人士認(rèn)為，英偉達(dá)應(yīng)有能力把成本轉(zhuǎn)嫁給中國客戶，把售價(jià)調(diào)漲18%，而毛利率則會(huì)略為下滑，但影響不大。

發(fā)表于：8/19/2025 11:45:27 AM

傳特朗普政府將以芯片法案補(bǔ)貼換取英特爾10%股權(quán)

8月19日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，美國總統(tǒng)特朗普總統(tǒng)的政府正在就收購英特爾 10% 的股份進(jìn)行談判。若該計(jì)劃實(shí)施，美國政府將成為英特爾公司的最大股東。

發(fā)表于：8/19/2025 11:43:36 AM

傳臺(tái)積電2nm良率已達(dá)66%

8月19日消息，據(jù)韓國媒體Digital Daily報(bào)導(dǎo)，晶圓代工大廠臺(tái)積電預(yù)計(jì)將要在接下來三四個(gè)月內(nèi)開始試產(chǎn)2nm，初始月產(chǎn)能約為30,000~35,000片晶圓，并計(jì)劃于2026年將通過四座2nm新廠將產(chǎn)能擴(kuò)充至每月60,000片。

發(fā)表于：8/19/2025 11:40:00 AM

我國成功開發(fā)6英寸InP激光器與探測(cè)器外延工藝

8 月 19 日消息，湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室今日官宣，該實(shí)驗(yàn)室近日在磷化銦（InP）材料領(lǐng)域取得重要技術(shù)突破，成功開發(fā)出 6 英寸磷化銦（InP）基 PIN 結(jié)構(gòu)探測(cè)器和 FP 結(jié)構(gòu)激光器的外延生長工藝，關(guān)鍵性能指標(biāo)達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

發(fā)表于：8/19/2025 10:44:50 AM