三星 相關(guān)文章(5201篇)
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傳三星12層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：8/13/2025 9:03:31 AM
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三星時隔多年要復(fù)活Z-NAND
發(fā)表于：8/11/2025 9:26:32 AM
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傳特斯拉Dojo 3芯片將由三星代工
發(fā)表于：8/8/2025 8:51:50 AM
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三星DDR4停產(chǎn)時間延后至2026年底
發(fā)表于：8/7/2025 9:13:50 AM
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DDR4內(nèi)存價格已反超DDR5一倍
發(fā)表于：8/5/2025 11:16:39 AM
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SK海力士全球最大存儲芯片廠商地位更加穩(wěn)固
發(fā)表于：8/4/2025 9:33:00 AM
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三星計劃大幅降低HBM3e價格以吸引英偉達(dá)
發(fā)表于：8/1/2025 8:41:58 AM
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美國對歐盟生產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備免征15%關(guān)稅
發(fā)表于：7/31/2025 9:14:39 AM
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特斯拉借三星合作低成本介入晶圓代工市場
發(fā)表于：7/30/2025 10:06:00 AM
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消息稱三星電子重新考慮在美國得州泰勒建設(shè)先進(jìn)封裝產(chǎn)線
發(fā)表于：7/30/2025 10:06:00 AM
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消息稱三星計劃為Exynos 2600處理器率先導(dǎo)入HPB技術(shù)
發(fā)表于：7/30/2025 9:51:27 AM
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LG顯示首次向三星轉(zhuǎn)讓LCD顯示專利
發(fā)表于：7/30/2025 9:22:02 AM
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三星拿到高通最強(qiáng)Soc首發(fā)權(quán)
發(fā)表于：7/29/2025 9:22:00 AM
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三星與特斯拉達(dá)成165億美元芯片供應(yīng)協(xié)議
發(fā)表于：7/28/2025 1:44:39 PM
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全球首款2nm芯片測試成績出爐
發(fā)表于：7/28/2025 9:44:53 AM
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三大巨頭停產(chǎn)引發(fā)搶貨潮 國產(chǎn)存儲緊急重啟DDR4產(chǎn)線
發(fā)表于：7/25/2025 10:12:41 AM
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傳高通并未放棄雙代工策略
發(fā)表于：7/24/2025 10:52:01 AM
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消息稱三星2018年錯失與英偉達(dá)CUDA綜合深度合作良機(jī)
發(fā)表于：7/23/2025 11:52:17 AM
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目標(biāo)良率70% 三星全力備戰(zhàn)2nm GAA工藝
發(fā)表于：7/23/2025 10:13:01 AM
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消息稱三星將在本月向AMD與英偉達(dá)等提供HBM4樣品
發(fā)表于：7/22/2025 11:31:00 AM
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傳三星1c DRAM良率突破50% HBM4下半年量產(chǎn)
發(fā)表于：7/21/2025 8:58:00 AM
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美國ITC裁決三星勝訴 京東方OLED遭遇禁售風(fēng)險
發(fā)表于：7/16/2025 11:27:10 AM
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Intel 18A工藝良率已超越三星2nm
發(fā)表于：7/14/2025 11:51:29 AM
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銷路不佳 三星HBM3E內(nèi)存產(chǎn)量砍半
發(fā)表于：7/7/2025 2:25:00 PM
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消息稱高通已取消三星2nm工藝代工計劃
發(fā)表于：7/7/2025 1:06:55 PM
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三星電子晶圓代工部門被取消2025上半年績效獎勵
發(fā)表于：7/7/2025 9:20:39 AM
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三星承認(rèn)尖端制程競爭力不足
發(fā)表于：7/4/2025 3:39:36 PM
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三星美國泰勒晶圓廠因缺單開業(yè)時間推遲至明年
發(fā)表于：7/4/2025 9:37:35 AM
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三星收購部分英特爾半導(dǎo)體專利權(quán)
發(fā)表于：7/3/2025 1:07:14 PM
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三星電子計劃明年3月啟動第十代4xx層V-NAND量產(chǎn)線建設(shè)
發(fā)表于：7/3/2025 11:23:02 AM
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