美光 相關(guān)文章(433篇)
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傳美光DRAM暫停報(bào)價(jià) 預(yù)計(jì)將漲價(jià)30%
發(fā)表于：9/15/2025 1:00:29 PM
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DDR4價(jià)格已連續(xù)4個(gè)月上漲
發(fā)表于：9/2/2025 11:15:36 AM
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2025Q2全球NAND Flash營(yíng)收季增逾20%
發(fā)表于：8/29/2025 8:50:07 AM
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消息稱美國(guó)政府不再計(jì)劃取得臺(tái)積電和美光股權(quán)
發(fā)表于：8/22/2025 11:44:11 AM
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美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)直言芯片法案補(bǔ)貼企業(yè)應(yīng)給政府股權(quán)！
發(fā)表于：8/22/2025 9:51:26 AM
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美光將在全球范圍內(nèi)停止未來(lái)移動(dòng)NAND產(chǎn)品開發(fā)
發(fā)表于：8/12/2025 1:55:23 PM
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美光直言定制HBM內(nèi)存將在HBM4E時(shí)代正式落地
發(fā)表于：8/12/2025 10:58:00 AM
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三星DDR4停產(chǎn)時(shí)間延后至2026年底
發(fā)表于：8/7/2025 9:13:50 AM
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DDR4內(nèi)存價(jià)格已反超DDR5一倍
發(fā)表于：8/5/2025 11:16:39 AM
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三大巨頭停產(chǎn)引發(fā)搶貨潮 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)緊急重啟DDR4產(chǎn)線
發(fā)表于：7/25/2025 10:12:41 AM
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美光推出首款太空認(rèn)證NAND閃存
發(fā)表于：7/23/2025 1:14:46 PM
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半導(dǎo)體企業(yè)在美新廠建設(shè)投資稅收抵免比例有望大幅提升
發(fā)表于：7/2/2025 1:00:22 PM
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三星電子加入SOCAMM內(nèi)存模塊戰(zhàn)場(chǎng)
發(fā)表于：7/2/2025 10:56:19 AM
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美光披露其對(duì)美國(guó)2000億美元投資計(jì)劃細(xì)節(jié)
發(fā)表于：7/2/2025 8:52:25 AM
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三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成
發(fā)表于：7/1/2025 1:13:16 PM
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美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代
發(fā)表于：6/30/2025 9:50:03 AM
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美光最新一季HBM營(yíng)收環(huán)比大漲50%
發(fā)表于：6/27/2025 9:06:07 AM
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DDR4現(xiàn)貨價(jià)首次超越同規(guī)格DDR5一倍
發(fā)表于：6/24/2025 1:16:07 PM
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美光宣布將停產(chǎn)DDR4 價(jià)格或?qū)⒊掷m(xù)上漲
發(fā)表于：6/16/2025 1:07:05 PM
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美光宣布在美投資增至2000億美元
發(fā)表于：6/13/2025 1:56:25 PM
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美光與SK海力士等美國(guó)建廠計(jì)劃受阻
發(fā)表于：6/13/2025 1:29:27 PM
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美光率先獲得英偉達(dá)SoCEM模塊量產(chǎn)批準(zhǔn)
發(fā)表于：6/11/2025 1:22:02 PM
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美光宣布向多個(gè)關(guān)鍵客戶出樣HBM4 36GB 12Hi內(nèi)存
發(fā)表于：6/11/2025 11:17:03 AM
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美光尋求撤銷法院命令拒絕向長(zhǎng)江存儲(chǔ)提供73頁(yè)機(jī)密文件
發(fā)表于：6/10/2025 9:47:13 AM
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美光宣布全球首款1γ LPDDR5X內(nèi)存正式送樣
發(fā)表于：6/6/2025 1:31:56 PM
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美光率先推出第六代10nm級(jí)LPDDR5xDRAM內(nèi)存
發(fā)表于：6/4/2025 2:35:39 PM
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五大NAND閃存廠Q1營(yíng)收暴跌近1/4
發(fā)表于：5/30/2025 9:24:54 AM
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美國(guó)政府半導(dǎo)體關(guān)稅出臺(tái)在即！
發(fā)表于：5/27/2025 1:28:07 PM
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HBM4制造難度及成本將更高
發(fā)表于：5/23/2025 1:19:13 PM
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消息稱三星等5大原廠集體減產(chǎn)10~15%NAND
發(fā)表于：5/20/2025 2:02:06 PM
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