Vishay最新推出可滿足嚴苛要求的高精度60mm感應式位置傳感器

　　美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年2月6日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款適用于工業(yè)等應用于嚴苛要求的基于感應技術的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術的解決方案相比，Vishay MCB RAIK060絕對值編碼器套件的厚度更薄，為5 mm，重量更輕，為15.5 g，轉速更高，達10000 rpm，而且延遲時間更短至≤ 5 μs。此外，器件對磁環(huán)境不敏感，因此可以在靠近電機的地方使用。

發(fā)表于：2/7/2025

傳臺積電將對7nm以下先進制程芯片代工報價上調15%

2月5日消息，據(jù)臺媒《工商時報》援引市場人士的說法報道稱，為應對美國特朗普政府計劃對全球多國加征進口關稅可能引發(fā)的成本增長，臺積電正考慮將7nm以下先進制程芯片代工報價漲幅由原本預計的5%～10%調高至15%以上。

發(fā)表于：2/7/2025

AMD預計其AI GPU未來幾年將產生數(shù)百億美元收入

2月6日消息，處理器大廠AMD 在最近的2024財年第四季度財報電話會議上概述了其 AI 路線圖，并表示AMD Instinct AI GPU 系列將在未來幾年產生“數(shù)百億美元”的收入。 據(jù)AMD介紹，其MI300及MI3000X已經被微軟、IBM和Meta等國內公司以及 El Capitan 系統(tǒng)等大規(guī)模 AI 和 HPC 集群所采用。但是，AMD已決定在今年年中開始量產其下一代 MI350 AI加速器，最初計劃于 2025 年下半年進行。此舉是鑒于英特爾取消 Falcon Shores GPU 和 AMD 對人工智能市場的樂觀態(tài)度而做出的。 AMD表示，基于早期的硅片進展，客戶對 MI350 系列的反饋非常強烈，這推動了與現(xiàn)有和全新超大規(guī)?？蛻暨M行更深入、更廣泛的客戶互動，為大規(guī)模部署 MI350 做準備。“我們現(xiàn)在計劃在本季度對主要客戶提供樣品，并有望將生產出貨速度加快到年中?！?/a>

2024年規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實現(xiàn)營業(yè)收入16.19萬億元

2 月 6 日消息，工信部今日公布 2024 年電子信息制造業(yè)運行情況。2024 年，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長 11.8%，增速分別比同期工業(yè)、高技術制造業(yè)高 6 個和 2.9 個百分點。12 月份，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)增加值同比增長 8.7%。

發(fā)表于：2/7/2025

芝奇宣布再次打破內存超頻世界紀錄

2 月 6 日消息，芝奇官方今日宣布，美國超頻大師 Splave 成功在華擎 Z890 Taichi OCF 主板上實現(xiàn)了新的內存超頻世界紀錄 ——6367.5 MHz，即 12735MT/s。

發(fā)表于：2/7/2025

埃森哲某煙企智能制造與卓越運營體系的全新戰(zhàn)略藍圖設計方案

【精品方案】破局與躍升：埃森哲某煙企智能制造與卓越運營體系的全新戰(zhàn)略藍圖設計方案（86頁PPT），推薦閱讀

發(fā)表于：2/7/2025

中科宇航力擎二號針栓發(fā)動機完成首臺交付

2月6日消息，中科宇航今日宣布，力擎二號110噸針栓發(fā)動機已成功完成首臺交付。 作為力箭系列可重復使用火箭的一級發(fā)動機，力擎二號采用液氧煤油推進劑組合，燃氣發(fā)生器和推力室均采用針栓噴注技術，具備大范圍的推力變比能力。

發(fā)表于：2/7/2025

憶阻器的概念

憶阻器最早由阻變存儲器，即RRAM實驗驗證，因此經常以RRAM作為憶阻器的代表。

發(fā)表于：2/6/2025

傳臺積電將在臺南建3座1nm和3座0.7nm晶圓廠

2月3日消息，據(jù)業(yè)內傳聞稱，臺積電最先進的1nm制程晶圓廠將落戶臺南沙侖，預計規(guī)劃打造可容納六座12英寸生產線的超大型晶圓廠（Giga-Fab），藉此放大現(xiàn)有南科先進制程生產集群效應，并北接嘉義，南連高雄、屏東等國科會積極推動的科學園區(qū)，成為 “大南方新硅谷推動方案”的核心指標投資案。

發(fā)表于：2/6/2025

Rapidus宣布4月1日試產2nm

Rapidus宣布4月1日試產2nm！

發(fā)表于：2/6/2025

消息稱軟銀接近達成收購芯片設計公司Ampere的協(xié)議

消息稱軟銀接近達成收購芯片設計公司 Ampere 的協(xié)議，后者估值 65 億美元

發(fā)表于：2/6/2025

DDR4內存價格持續(xù)下跌 NAND閃存減產效果未顯現(xiàn)

2 月 6 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 和 NAND 閃存市場近期表現(xiàn)各異。 DRAM 方面，消費者需求在春節(jié)后依然疲軟，導致 DDR4 現(xiàn)貨價格下跌；而 NAND 閃存市場交易低迷，供應商減產的效果尚未在市場端顯現(xiàn)。 DRAM 現(xiàn)貨價格：需求疲軟，DDR4 價格持續(xù)下滑 春節(jié)假期后，消費者對 DRAM 的需求依然低迷，現(xiàn)貨價格持續(xù)低位徘徊。不過，由于部分買家的特殊需求，DDR5 產品出現(xiàn)了臨時價格上漲。IT之家附上相關圖片如下：

發(fā)表于：2/6/2025

西湖大學新研究助太陽電池光電轉換效率達23.4%

2月5日，據(jù)報道，西湖大學王睿團隊在柔性疊層太陽電池領域取得突破，成功將鈣鈦礦與銅銦鎵硒材料疊合，使光電轉換效率達到23.4%。

發(fā)表于：2/6/2025

2024年全球十大半導體廠商營收公布

2月5日消息，根據(jù)市場研究機構 Gartner 最新公布的預測數(shù)據(jù)顯示，2024年全球半導體收入總額為6260億美元，同比增長18.1%。在2024年的全球前十大半導體廠商當中，三星、英特爾、英偉達位居前三。同時， Gartner 預計，受益于AI需求的推動，2025年全球半導體總收入將同比增長12.6%，達到7050億美元。雖然這一預測值低于 Future Horizons 預測的 15%，但高于世界半導體貿易組織預計的 11.2%，也高于Semiconductor Intelligence 預計的 6%。

發(fā)表于：2/6/2025

特朗普再次威脅對半導體加征100%關稅

據(jù)《今日美國報》（USA Today）報道，當?shù)貢r間1月27日，共和黨籍國會議員在佛羅里達州邁阿密川普旗下的特朗普國家多羅高爾夫度假村（Trump National Doral）舉行度假會議，美國總統(tǒng)特朗普在會議致詞中宣布，他打算對輸入美國的鋼、鋁、銅及電腦芯片、半導體、藥品等貨物全面加征關稅，同時表示芯片制造業(yè)都跑去了中國臺灣，他希望這些產業(yè)回到美國。

發(fā)表于：1/30/2025