三星 相關(guān)文章(5236篇)
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三星SDI：明年初可量產(chǎn)46毫米大直徑電池
發(fā)表于：3/11/2024 9:00:54 AM
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WIPO公布2023年度全球PCT國(guó)際專利申請(qǐng)排名
發(fā)表于：3/11/2024 9:00:40 AM
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消息稱HBM4標(biāo)準(zhǔn)放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：3/11/2024 9:00:00 AM
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閃存大減產(chǎn) SSD大漲價(jià)！廠商含淚多賺25％
發(fā)表于：3/8/2024 10:00:45 AM
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全新芯片品牌來(lái)了，三星繼續(xù)為AI硬件鋪路？
發(fā)表于：3/8/2024 10:00:42 AM
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三星確認(rèn)第二代3納米工藝更名為2納米
發(fā)表于：3/6/2024 9:00:52 AM
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三星SDI計(jì)劃到2027年為電動(dòng)汽車生產(chǎn)全固態(tài)電池
發(fā)表于：3/6/2024 9:00:38 AM
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三星計(jì)劃采用英偉達(dá)“數(shù)字孿生”技術(shù)提升芯片良率以追趕臺(tái)積電
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:23 AM
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SK海力士三星電子HBM良率僅65%
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:21 AM
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三星：考慮將MUF技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器 DRAM 內(nèi)存
發(fā)表于：3/4/2024 9:30:45 AM
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三星開(kāi)始量產(chǎn)1TB microSD卡
發(fā)表于：3/1/2024 9:37:13 AM
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三星開(kāi)發(fā)業(yè)界首款36GB HBM3E存儲(chǔ)芯片
發(fā)表于：2/28/2024 9:30:20 AM
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英偉達(dá)諾基亞微軟等歐美巨頭宣布組建AI-RAN聯(lián)盟
發(fā)表于：2/27/2024 10:22:26 AM
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三星在硅谷開(kāi)設(shè)通用人工智能計(jì)算實(shí)驗(yàn)室
發(fā)表于：2/23/2024 9:00:05 AM
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三星以65億元出售所持ASML全部股份
發(fā)表于：2/22/2024 10:38:23 AM
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三星進(jìn)軍AI半導(dǎo)體邏輯芯片
發(fā)表于：2/22/2024 9:49:53 AM
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三星與Arm合作以GAA工藝優(yōu)化下一代Cortex-X CPU內(nèi)核
發(fā)表于：2/21/2024 10:10:00 AM
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高通已要求三星、臺(tái)積電提供2nm芯片樣品
發(fā)表于：2/14/2024 8:31:00 PM
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2nm半導(dǎo)體大戰(zhàn)打響！三星2nm時(shí)間表公布
發(fā)表于：2/5/2024 11:00:00 AM
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三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
發(fā)表于：2/5/2024 10:44:21 AM
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3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)：傳三星良率0% 臺(tái)積電卻已大賺211億
發(fā)表于：2/5/2024 10:27:00 AM
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聯(lián)發(fā)科將以更實(shí)惠的價(jià)格為三星提供芯片
發(fā)表于：2/5/2024 10:17:18 AM
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1c納米內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)：三星計(jì)劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料
發(fā)表于：2/4/2024 10:21:00 AM
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三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗
發(fā)表于：2/4/2024 10:19:24 AM
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OpenAI加速造芯：奧特曼赴韓與三星SK談合作
發(fā)表于：2/1/2024 11:19:52 AM
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采用Corning® Gorilla® Armor，三星 Galaxy S24 Ultra開(kāi)創(chuàng)耐用性和視覺(jué)清晰度新標(biāo)準(zhǔn)
發(fā)表于：1/31/2024 9:21:00 PM
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三星SDI計(jì)劃使用中國(guó)設(shè)備生產(chǎn)磷酸鐵鋰電池
發(fā)表于：1/30/2024 9:48:58 AM
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三星宣布開(kāi)發(fā)280層QLC閃存：M.2 SSD可達(dá)16TB！
發(fā)表于：1/30/2024 9:42:49 AM
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英特爾重返半導(dǎo)體行業(yè)第一
發(fā)表于：1/30/2024 9:39:16 AM
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2023年半導(dǎo)體專利報(bào)告出爐
發(fā)表于：1/29/2024 10:52:02 AM
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