三星 相關(guān)文章(5202篇)
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淺析HBM五大關(guān)鍵門檻
發(fā)表于：6/18/2024 8:38:25 AM
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三星公布引領(lǐng)AI時代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖
發(fā)表于：6/14/2024 8:55:22 AM
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三星祭出交鑰匙代工服務(wù) 加速AI芯片生產(chǎn)
發(fā)表于：6/14/2024 8:55:01 AM
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中芯國際沖到全球前三：僅次于臺積電三星
發(fā)表于：6/13/2024 8:59:20 AM
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美國芯片制造業(yè)迎來歷史性投資，狂砸資金新建工廠
發(fā)表于：6/13/2024 8:59:20 AM
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三星公布芯片技術(shù)路線圖
發(fā)表于：6/13/2024 8:59:00 AM
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消息稱三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:45 AM
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三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:27 AM
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三星被曝挖來蘋果Siri資深高管領(lǐng)導(dǎo)北美AI團隊
發(fā)表于：6/12/2024 8:59:25 AM
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AMD與三星在3nm GAA上目前并無任何實質(zhì)進展
發(fā)表于：6/6/2024 8:52:46 AM
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高通：正考慮實施臺積電、三星電子雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略
發(fā)表于：6/6/2024 8:52:46 AM
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黃仁勛確認(rèn)三星HBM3e未通過英偉達認(rèn)證
發(fā)表于：6/5/2024 8:57:20 AM
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芯片三巨頭發(fā)力CFET架構(gòu)以備戰(zhàn)埃米時代
發(fā)表于：6/4/2024 9:00:00 AM
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美光HBM內(nèi)存能效優(yōu)異迅速成為韓廠威脅
發(fā)表于：6/3/2024 11:24:24 AM
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蘇姿豐暗示AMD將采用三星3nm制程
發(fā)表于：5/31/2024 9:00:42 AM
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三星1nm工藝量產(chǎn)計劃提前至2026年
發(fā)表于：5/31/2024 9:00:39 AM
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三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機器已停用
發(fā)表于：5/31/2024 9:00:25 AM
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消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠
發(fā)表于：5/30/2024 11:13:05 AM
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英特爾三星正尋求玻璃芯片技術(shù)挑戰(zhàn)臺積電
發(fā)表于：5/29/2024 8:36:36 AM
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NAND Flash開始邁向300層
發(fā)表于：5/29/2024 8:36:15 AM
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三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達測試
發(fā)表于：5/27/2024 8:50:40 AM
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消息稱三星首款可穿戴機器人Bot Fit已完成開發(fā)
發(fā)表于：5/27/2024 8:50:29 AM
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韓國政府斥資26萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè)
發(fā)表于：5/24/2024 3:11:30 PM
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三星顯示QD-OLED顯示器累計出貨量達100萬臺
發(fā)表于：5/24/2024 2:40:15 PM
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三星HBM內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達測試
發(fā)表于：5/24/2024 2:14:24 PM
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三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā)
發(fā)表于：5/23/2024 8:38:18 AM
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三星已啟動2nm應(yīng)用芯片項目 計劃2025年量產(chǎn)
發(fā)表于：5/23/2024 8:38:06 AM
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三星計劃用第二代3nm爭取英偉達
發(fā)表于：5/22/2024 8:58:23 AM
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三星與ARM牽手推動6G關(guān)鍵技術(shù) 網(wǎng)速1TB/s
發(fā)表于：5/22/2024 8:58:09 AM
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機構(gòu)：2024年底前HBM將占先進制程比例為35%
發(fā)表于：5/21/2024 8:50:16 AM
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