三星 相關(guān)文章(5235篇)
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三星2nm制程將增加30%的EUV光刻層
發(fā)表于：7/20/2024 1:30:00 PM
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傳稱三星將轉(zhuǎn)移30%產(chǎn)能生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：7/17/2024 10:10:00 PM
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三星發(fā)布全新智能戒指Galaxy Ring
發(fā)表于：7/15/2024 9:05:00 AM
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三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進(jìn)展
發(fā)表于：7/15/2024 9:02:00 AM
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玻璃基板技術(shù)開創(chuàng)半導(dǎo)體芯片封裝新格局
發(fā)表于：7/12/2024 9:13:00 AM
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三星無限期罷工已影響部分芯片生產(chǎn)
發(fā)表于：7/12/2024 9:04:00 AM
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三星正式回應(yīng)自家3nm工藝良率不到20%傳聞
發(fā)表于：7/11/2024 9:20:00 AM
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報(bào)告稱HBM芯片明年月產(chǎn)能突破54萬顆
發(fā)表于：7/11/2024 9:08:00 AM
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三星2nm制程與2.5D封裝獲日本Preferred Networks訂單
發(fā)表于：7/10/2024 9:16:00 AM
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HBM芯片之爭愈演愈烈
發(fā)表于：7/10/2024 9:10:00 AM
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三星電子將為日本Preferred Networks生產(chǎn)2nm AI芯片
發(fā)表于：7/9/2024 8:24:00 AM
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三星成立新的HBM團(tuán)隊(duì)推進(jìn)HBM3E和HBM4開發(fā)工作
發(fā)表于：7/8/2024 8:37:00 AM
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三星迎史上最大規(guī)模罷工波及全球芯片
發(fā)表于：7/8/2024 8:25:00 AM
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消息稱三星已放緩汽車半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)優(yōu)先專研AI芯片
發(fā)表于：7/5/2024 8:34:00 AM
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三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000
發(fā)表于：7/4/2024 8:37:00 AM
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消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入HPB冷卻技術(shù)
發(fā)表于：7/4/2024 8:24:00 AM
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（更新：三星否認(rèn)）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：7/4/2024 8:23:00 AM
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三星與大唐移動(dòng)專利糾紛達(dá)成和解
發(fā)表于：7/3/2024 8:39:00 AM
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三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù)
發(fā)表于：7/3/2024 8:33:00 AM
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三星計(jì)劃加入微軟谷歌等八巨頭的UALink聯(lián)盟
發(fā)表于：7/1/2024 12:18:00 PM
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美國等掏空韓國半導(dǎo)體人才 三星和SK海力士成重災(zāi)區(qū)
發(fā)表于：7/1/2024 12:15:00 PM
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消息稱三星SK 海力士已啟動(dòng)芯片浸沒式液冷兼容測試
發(fā)表于：6/28/2024 8:48:00 AM
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三星否認(rèn)3nm晶圓代工廠出現(xiàn)生產(chǎn)缺陷
發(fā)表于：6/26/2024 4:27:35 PM
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消息稱三星3nm項(xiàng)目總投資超過1160億美元
發(fā)表于：6/25/2024 8:30:45 AM
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美國對中國半導(dǎo)體制裁下韓國設(shè)備最杯具
發(fā)表于：6/25/2024 8:30:43 AM
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三星美國得州芯片工廠推遲至2026年投產(chǎn)
發(fā)表于：6/24/2024 8:35:29 AM
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三星聯(lián)手聯(lián)發(fā)科完成基于vRAN的5G RedCap技術(shù)測試
發(fā)表于：6/24/2024 8:35:24 AM
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三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：6/24/2024 8:35:14 AM
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三星Exynos 2500 3nm良率僅20%
發(fā)表于：6/24/2024 8:35:00 AM
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三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單
發(fā)表于：6/19/2024 8:30:43 AM
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