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英飛凌推出采用全新 EasyPACK? C 封裝的碳化硅功率模塊

【2025年10月29日, 德國慕尼黑訊】工業(yè)領(lǐng)域中的快速直流電動(dòng)汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統(tǒng)，以及不間斷電源設(shè)備，往往需要在嚴(yán)苛環(huán)境條件與波動(dòng)負(fù)載的運(yùn)行模式下工作。這些應(yīng)用對高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。

發(fā)表于：10/30/2025

國內(nèi)首例特大假冒進(jìn)口芯片案細(xì)節(jié)公布

10 月 29 日消息，法治中國網(wǎng) 10 月 24 日披露了國內(nèi)首例特大假冒進(jìn)口芯片案的細(xì)節(jié)。深圳市公安局南山派出所聯(lián)合市場監(jiān)管部門，成功偵破一起涉案金額巨大的假冒高端芯片案件。該團(tuán)伙通過回收廢舊芯片，利用激光打磨、重新刻字等方式，偽造英飛凌、德州儀器、亞德諾等國際知名品牌的高端芯片，并以“歐洲代理商”名義向國內(nèi)制造業(yè)企業(yè)銷售，涉及汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

發(fā)表于：10/30/2025

又一家美國公司宣布研發(fā)X光刻機(jī)

美國初創(chuàng)公司Substrate宣布以X光粒子加速器光源開發(fā)光刻機(jī)，宣稱成本僅為ASML EUV方案一半，目標(biāo)2028年量產(chǎn)，可將先進(jìn)晶圓成本由約10萬美元降至1萬美元；公司估值10億美元，已獲1億美元風(fēng)投，尚無政府資助，計(jì)劃先挑戰(zhàn)ASML，再在美建晶圓廠對標(biāo)臺積電。

發(fā)表于：10/30/2025

央企510億戰(zhàn)新基金來了重點(diǎn)支持人工智能等

10月29日訊，又一只央企母基金來了。今日，由國務(wù)院國資委發(fā)起，委托中國國新設(shè)立和管理的中央企業(yè)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展專項(xiàng)基金在北京啟動(dòng)。 510億！央企戰(zhàn)新基金來了重點(diǎn)支持人工智能、航空航天等未來產(chǎn)業(yè)

發(fā)表于：10/30/2025

數(shù)據(jù)質(zhì)量高效校驗(yàn)方法研究

數(shù)據(jù)質(zhì)量監(jiān)控是數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域的重要挑戰(zhàn)。提出了一種創(chuàng)新方法，通過規(guī)則配置高效生成數(shù)據(jù)質(zhì)量驗(yàn)證規(guī)則與告警策略，并在單一SQL查詢中實(shí)現(xiàn)多指標(biāo)并發(fā)校驗(yàn)，顯著提升了校驗(yàn)效率。詳細(xì)闡述了技術(shù)方案設(shè)計(jì)原理并做了性能對比實(shí)驗(yàn)：數(shù)據(jù)處理速度提升10~20倍,規(guī)則配置效率提升4~5倍，實(shí)際應(yīng)用中的資源消耗指標(biāo)(CPU、內(nèi)存）與傳統(tǒng)解決方案基本一致，準(zhǔn)確率仍保持在99.99%，為大數(shù)據(jù)環(huán)境下的數(shù)據(jù)質(zhì)量管理提供了可量化的參考實(shí)踐。

發(fā)表于：10/29/2025

Pickering公司新型靜電屏蔽技術(shù)有效抑制噪聲干擾

高性能舌簧繼電器全球領(lǐng)導(dǎo)者Pickering Electronics升級了其144系列大功率舌簧繼電器，新增配備靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的衍生型號。該系列產(chǎn)品額定功率高達(dá) 80w，以0.25英寸間距可緊密排布。

發(fā)表于：10/29/2025

意法半導(dǎo)體半橋柵極驅(qū)動(dòng)器簡化低壓系統(tǒng)中的GaN電路設(shè)計(jì)

2025年10月21日，中國——意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211半橋氮化鎵(GaN)柵極驅(qū)動(dòng)器是為工業(yè)或電信設(shè)備母線電壓供電系統(tǒng)、72V電池系統(tǒng)和110V交流電源供電設(shè)備專門設(shè)計(jì)

發(fā)表于：10/29/2025

全球首個(gè)6英寸二維半導(dǎo)體單晶量產(chǎn)化制備

據(jù)“科創(chuàng)江北”消息，2025年10月23日，江北新區(qū)企業(yè)南京極鉬芯科技有限公司（以下簡稱“極鉬芯科技”）與南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在《Science》期刊共同發(fā)表重要研究成果。極鉬芯科技深度參與工藝開發(fā)與設(shè)備研制，為研究團(tuán)隊(duì)提供了自主研制的二維半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備Oxy-MOCVD 200 ultra，成功實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)6英寸二維半導(dǎo)體單晶系列的量產(chǎn)化制備。該設(shè)備的全面國產(chǎn)化與自主可控性，標(biāo)志著我國在下一代集成電路關(guān)鍵材料與裝備領(lǐng)域取得重要突破。極鉬芯科技同步推出多款二維半導(dǎo)體單晶晶圓與單晶襯底產(chǎn)品，為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供高質(zhì)量材料解決方案。

發(fā)表于：10/29/2025

傳臺積電先進(jìn)制程功臣將退休加盟英特爾

10月28日消息，據(jù)中國臺灣地區(qū)媒體報(bào)道，有傳聞稱，今年7月底才退休的臺積電前技術(shù)研發(fā)暨企業(yè)策略發(fā)展資深副總經(jīng)理羅唯仁可能將會(huì)加盟英特爾研發(fā)部門。

發(fā)表于：10/29/2025

VESA發(fā)布DisplayPort汽車擴(kuò)展標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)測試規(guī)范模型

VESA重點(diǎn)介紹了其于2025年5月發(fā)布的DP AE合規(guī)測試規(guī)范模型。這一完全可執(zhí)行的Linux C模型包含500多項(xiàng)功能安全與信息安全合規(guī)測試，使芯片制造商能夠基于VESA DP AE標(biāo)準(zhǔn)，構(gòu)建和測試用于汽車顯示器的視頻源（電子控制單元/ECU）、橋接器件（如串行器/解串器）和接收設(shè)備（如時(shí)序控制器）。

發(fā)表于：10/29/2025

消息稱蘋果缺席臺積電A16工藝首單

10 月 29 日消息，韓國媒體 EBN News 昨日（10 月 28 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英偉達(dá)已成為臺積電下一代 A16工藝的目前唯一客戶，雙方正就此展開聯(lián)合測試，該工藝預(yù)估 2027 年部署。與此同時(shí)，消息還指出，作為臺積電長期大客戶的蘋果公司，尚未就其移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）采用 A16 工藝一事展開洽談。 IT之家援引博文介紹，根據(jù)英偉達(dá)公布的 GPU 路線圖，其產(chǎn)品演進(jìn)順序?yàn)?Hopper、Blackwell、Rubin，最終到達(dá) Feynman。其中，計(jì)劃于 2028 年推出的 Feynman 架構(gòu) GPU，預(yù)計(jì)將全面采用臺積電的 A16 工藝制造。

發(fā)表于：10/29/2025

NVIDIA IGX Thor處理器將實(shí)時(shí)物理AI引入工業(yè)和醫(yī)療邊緣場景

NVIDIA 今日推出了 NVIDIA IGX Thor，這是一個(gè)功能強(qiáng)大的工業(yè)級平臺，專為將實(shí)時(shí)物理AI直接部署于邊緣端而打造。該平臺將高速傳感器處理、企業(yè)級可靠性和功能安全性整合到桌面級緊湊模組中。相較于上一代產(chǎn)品 NVIDIA IGX Orin，IGX Thor 的 AI計(jì)算性能提升至 8 倍，能夠幫助開發(fā)者構(gòu)建感知、推理和行動(dòng)更快速、更安全、更智能的智能系統(tǒng)。

發(fā)表于：10/29/2025

MEMS熱式氣體流量傳感器設(shè)計(jì)

在工業(yè)生產(chǎn)過程中提供準(zhǔn)確的流量檢測信息對于系統(tǒng)性能的提升有著重要的作用，基于MEMS技術(shù)制造出的熱式流量傳感器通過采集溫差變化來反映管道內(nèi)流量變化，具有體積小、精度高、微流量段靈敏的特點(diǎn)。介紹了熱式流量傳感器的熱分布模型，利用COMSOL Multiphysics軟件對管道內(nèi)的流量傳感器進(jìn)行電場、流場和熱場的耦合仿真，確定傳感器芯片的關(guān)鍵參數(shù)。采用MEMS加工工藝制造流量傳感器芯片，搭建標(biāo)定測試平臺，對傳感器芯片進(jìn)行封裝測試。傳感器測量范圍達(dá)到300 SLM，數(shù)字輸出準(zhǔn)確度等級達(dá)到1.0，模擬輸出準(zhǔn)確度等級達(dá)到1.5。

發(fā)表于：10/28/2025

等離子鍍膜用射頻電源功率計(jì)算與控制系統(tǒng)研究

當(dāng)前的等離子磁控濺射鍍膜領(lǐng)域廣泛使用的射頻電源存在功率控制精度不足，功率可調(diào)范圍有限，以及因功率計(jì)算不準(zhǔn)確導(dǎo)致輸出功率波動(dòng)較大和誤差顯著等問題。為此，基于數(shù)字下變頻技術(shù)生成射頻信號源，提出了一種等離子體鍍膜用射頻電源功率計(jì)算與控制系統(tǒng)，通過VI Sensor上耦合的傳輸線上的信息直接計(jì)算出射頻電源的輸出功率，并利用控制器調(diào)節(jié)信號源幅值，從而實(shí)現(xiàn)對輸出功率的精確調(diào)節(jié)。仿真驗(yàn)證該方法能夠?qū)崿F(xiàn)快速、準(zhǔn)確的功率計(jì)算及高精度的功率調(diào)節(jié)。通過實(shí)際樣機(jī)測試，該方案被證實(shí)能夠顯著降低輸出功率誤差，并提高鍍膜樣品上的成膜質(zhì)量，為等離子磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力。

發(fā)表于：10/28/2025

基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊設(shè)計(jì)

上下變頻模塊是微波電路中的關(guān)鍵部分，其性能的好壞將直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。設(shè)計(jì)了一種基于鏡頻抑制混頻器的X波段上下變頻模塊。通過對整機(jī)主要指標(biāo)的分析與計(jì)算，下變頻采用一次變頻方案，上變頻采用兩次變頻方案。在滿足鏡頻抑制度要求的情況下，利用一個(gè)固定本振頻率進(jìn)行多次變頻的方式，使上變頻具有較高的本振隔離度。測試結(jié)果表明，下變頻的鏡頻抑制度為29 dBc，發(fā)射端口的本振抑制度為71 dBc。模塊指標(biāo)符合性較好，滿足使用要求，對研制該類型的上下變頻組件具有一定的參考價(jià)值。

發(fā)表于：10/28/2025