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工業(yè)自動化最新文章

KSC PF輕觸開關(guān)提供灌封友好型解決方案

伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年6月17日-Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力，今天宣布推出用于表面貼裝技術(shù)（SMT）的KSC PF系列密封輕觸開關(guān)。

發(fā)表于：6/17/2025

華為四芯片封裝技術(shù)新專利曝光

6月16日消息，據(jù)Tomshardware報道，華為近期已申請一項“四芯片”（quad-chiplet）封裝設(shè)計專利，可能用于下一代AI芯片昇騰910D。

發(fā)表于：6/17/2025

臺積電2nm制程良率已突破60%

臺積電正加快步伐向2nm芯片時代邁進(jìn)。根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》最新報道，這家全球半導(dǎo)體巨頭的2nm制程良率已突破60%，不僅已達(dá)到穩(wěn)定量產(chǎn)門檻，更顯著領(lǐng)先競爭對手三星的40%良率水平，顯示其在先進(jìn)制程上的主導(dǎo)地位仍將持續(xù)。

發(fā)表于：6/17/2025

SK海力士暫緩1c DRAM內(nèi)存量產(chǎn)設(shè)備采購

6 月 16 日消息，韓國媒體 the bell 當(dāng)?shù)貢r間本月 12 日報道稱，在 HBM 市場處于領(lǐng)先地位的 SK 海力士調(diào)整了下代 1c nm（第 6 代 10nm 級）DRAM 內(nèi)存量產(chǎn)線的設(shè)備采購節(jié)奏，暫緩新技術(shù)應(yīng)用。

發(fā)表于：6/17/2025

三星半導(dǎo)體部門收緊ChatGPT訪問權(quán)限

業(yè)內(nèi)人士稱，三星DS部門于6月12日通知員工，使用ChatGPT等生成式AI服務(wù)“需要獲得單獨批準(zhǔn)”。此前，員工在特定條件下可以有限度地使用ChatGPT，但現(xiàn)在需要事先獲得授權(quán)才能使用該人工智能工具。

發(fā)表于：6/17/2025

Cadence與三星晶圓代工就SF2P等制程達(dá)成新多年期IP協(xié)議

6 月 17 日消息，半導(dǎo)體IP 大廠 Cadence 楷登電子當(dāng)?shù)貢r間 16 日宣布擴(kuò)大同三星晶圓代工 (Samsung Foundry) 的合作。雙方簽署了新的多年期協(xié)議，Cadence 的一系列內(nèi)存和接口 IP 將被引入到三星的 SF4X、SF5A 和 SF2P 等制程節(jié)點中。

發(fā)表于：6/17/2025

美國逼迫越南制造脫鉤中國科技

6月16日消息，據(jù)路透社援引三位知情人士透露，美國在與越南的關(guān)稅談判中向其施壓，要求越南降低在當(dāng)?shù)亟M裝、出口至美國的產(chǎn)品中使用中國技術(shù)的比例。 1682277245-yue.jpg 在今年4月初，美國總統(tǒng)特朗普在白宮簽署關(guān)于所謂“對等關(guān)稅”的行政令，宣布對部分國家和地區(qū)加征對等關(guān)稅，其中對越南等進(jìn)口商品加征了46%的關(guān)稅，比當(dāng)時宣布對中國大陸加征的34%關(guān)稅還要高。

發(fā)表于：6/17/2025

非常見問題解答第233期：自動測試設(shè)備應(yīng)用中PhotoMOS開關(guān)的替代方案

　　簡介　　隨著AI應(yīng)用對高性能內(nèi)存，尤其是高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求不斷增長，內(nèi)存芯片設(shè)計將變得更加復(fù)雜。ATE廠商是驗證內(nèi)存芯片的關(guān)鍵一環(huán)，目前正面臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統(tǒng)上，在存儲器晶圓探針電源應(yīng)用中，PhotoMOS®開關(guān)因其良好的低電容乘電阻（CxR）特性而得到采用。低CxR有助于減少信號失真，改善開關(guān)關(guān)斷隔離度，同時實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更低的插入損耗。

發(fā)表于：6/16/2025

機(jī)器人安全新突破：安全氣泡探測器的強(qiáng)大功能

　　摘要　　本文介紹實時安全氣泡探測的架構(gòu)，以及在開發(fā)模塊化解決方案、優(yōu)化高數(shù)據(jù)帶寬應(yīng)用以實現(xiàn)每秒30幀（FPS）運(yùn)行、設(shè)計多線程應(yīng)用和算法以準(zhǔn)確探測靠近地面的物體等方面所面臨的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：6/16/2025

ASML EUV光刻路線還能走多遠(yuǎn)？

雖然近期臺積電高管表示，臺積電接下來的A16/A14制程都不會采用ASML售價高達(dá)4億美元的High NA EUV光刻機(jī)（具有0.5數(shù)值孔徑），但是英特爾則已經(jīng)決定在其下一代的Intel 14A制程上選擇采用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行量產(chǎn)。與此同時，為了解決為了的1nm以下制程的制造問題，ASML正在積極的研發(fā)具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)，這也意味著其將面臨更大的技術(shù)挑戰(zhàn)，要知道ASML花了約20年的時間才成功推動標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)的規(guī)模商用。而作為急需在EUV光刻機(jī)上進(jìn)行突破的中國，則將目光瞄向了基于直線電子加速器的自由電子激光技術(shù)的EUV光源（EUV-FEL）技術(shù)。

發(fā)表于：6/16/2025

臺積電與三星激戰(zhàn)2nm

6月16日消息，據(jù)“韓國前鋒報”報導(dǎo)，臺積電和三星電子目標(biāo)都是在今年下半年量產(chǎn)2nm制程芯片，兩大半導(dǎo)體廠的搶單大戰(zhàn)預(yù)計將更加激烈，但三星的良率持續(xù)低于臺積電，成為吸引訂單的挑戰(zhàn)。

發(fā)表于：6/16/2025

中國臺灣將華為及中芯國際列入出口管制名單

6月15日消息，據(jù)彭博社報道，中國臺灣已將華為技術(shù)有限公司和中芯國際列入了出口管制黑名單，這對此前已經(jīng)被美國列入實體清單的這兩家公司又造成了一定程度的打擊。

發(fā)表于：6/16/2025

美光宣布將停產(chǎn)DDR4 價格或?qū)⒊掷m(xù)上漲

6月14日消息，據(jù)外媒wccftech報道，美國DRAM芯片大廠美光已正式通知客戶，其DDR4 內(nèi)存產(chǎn)品即將停產(chǎn)（EOL），未來6到9個月內(nèi)將逐步減少出貨。至此，包括三星、SK海力士和美光在內(nèi)全球前三大DRAM廠商均已退出了DDR4市場。

發(fā)表于：6/16/2025

英特爾7月將啟動新一輪裁員

6月15日消息，據(jù)外媒Oregon Live報導(dǎo)，英特爾已經(jīng)于本周向員工發(fā)出通知，將從今年7月中旬起，開始裁減位于俄勒岡州Silicon Forest園區(qū)的晶圓廠人員，首輪裁員預(yù)計將于7月底前完成，而且可能會啟動第二波裁員。根據(jù)英特爾內(nèi)部信件，公司正針對Intel Foundry 制造事業(yè)部進(jìn)行重組，并更聚焦于工程和技術(shù)職位（例如精簡中階管理層）。雖然公司未透露具體的裁員人數(shù)，但內(nèi)部溝通中表示這是為了改善公司財務(wù)狀況所做的必要之舉。

發(fā)表于：6/16/2025

東南大學(xué)團(tuán)隊研發(fā)新型傳感系統(tǒng)助手機(jī)秒變高靈敏氣體檢測儀

6 月 16 日消息，中國工程院院刊《Engineering》今日發(fā)文，東南大學(xué)毫米波國家重點實驗室崔鐵軍教授團(tuán)隊發(fā)表了題為“An Ultracompact Spoof Surface Plasmon Sensing System for Adaptive and Accurate Detection of Gas Using a Smartphone”（一種小型化人工表面等離激元傳感系統(tǒng) —— 實現(xiàn)自適應(yīng)和高靈敏的氣體檢測）的研究論文，報道了一款超小型化、高靈敏度、高精度且智能化的無線微波人工表面等離激元傳感系統(tǒng)，并驗證了其在丙酮蒸氣傳感中的應(yīng)用。東南大學(xué)張璇如副研究員為論文第一作者，崔鐵軍教授為通訊作者。

發(fā)表于：6/16/2025