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SK 海力士計劃明年第二季量產 10 納米 DRAM

2016-12-16

繼三星之后,SK 海力士計劃明年開始量產 10 納米 DRAM,在 1x DRAM 開發(fā)完成后,SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM,并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。

  來自產業(yè)界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設為 Alius,已準備進入量產前置作業(yè)。SK 海力士目前已經完成晶圓制樣,正要在進行可靠度認證。

  半導體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序,在通過客戶測試后,產品開發(fā)才算完成。據報導,SK 海力士為將量產時程往前推,打算直接做客戶測試,暗示 1x DRAM 已經開發(fā)成功。

  一般認為,SK 海力士技術落后三星約 1 年半時間,但從 SK 海力士計劃在明年第二季量產 10 納米 DRAM 推算,兩者差距已經拉近至 1 年 3 個月左右。


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