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臺積電亞利桑那州晶圓廠僅能滿足美國7%芯片需求

7月28日消息，根據(jù)外媒wccftech報道，美國財政部長斯科特·貝森特（Scott Bessent）近日在采訪中表示，晶圓代工大廠臺積電美國亞利桑那州晶圓廠目前僅能滿足美國7%的芯片代工需求。

發(fā)表于：7/28/2025

美國將在兩周內(nèi)公布半導體“232調(diào)查”報告

7月28日消息，美國總統(tǒng)特朗普近日在蘇格蘭與歐盟執(zhí)委會主席馮德萊恩（Ursula von der Leyen）敲定關稅協(xié)定。與此同時，美國商務部長霍華德·盧特尼克 (Howard Lutnick) 在場邊接受媒體采訪時表示，針對芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)起的“232調(diào)查”結果將會在兩周內(nèi)公布。

發(fā)表于：7/28/2025

AOS出售重慶12英寸晶圓廠上海新微接盤

2025年7月25日，由重慶兩江產(chǎn)業(yè)集團、新微集團、新微資本聯(lián)合主辦的“AI新時代，能效驅未來”AI基礎設施領域功率器件應用研討會在渝成功舉行。會上，新微集團正式宣布完成對重慶萬國半導體科技有限公司（重慶萬國半導體）的戰(zhàn)略收購。 2015年9月，重慶兩江新區(qū)管委會與美國功率半導體巨頭Alpha and Omega Semiconductor（AOS）簽訂“12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生產(chǎn)基地項目投資協(xié)議”，2016年4月22日成立重慶萬國，將主要從事功率半導體器件（含功率MOSFET、IGBT等功率集成電路）的產(chǎn)品設計和生產(chǎn)制造。2017年2月動工建設。

發(fā)表于：7/28/2025

Infinitesima與imec合作推動埃米級晶圓量測技術發(fā)展

7月25日消息，英國的先進半導體測量技術公司Infinitesima 近日宣布與比利時imec 共同展開三年合作項目，針對其Metron3D 在線3D 晶圓測量系統(tǒng)進行功能強化，聚焦于High-NA EUV、混合鍵合（Hybrid Bonding）、CFET等先進制程應用，并由ASML 等業(yè)界領導者參與，以解決未來半導體制造對高解析3D 測量的迫切需求。

發(fā)表于：7/28/2025

大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的工業(yè)PLC方案

　　2025年7月21日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半導體（ST）STM32MP257FAK3 MPU的工業(yè)PLC方案。

發(fā)表于：7/26/2025

是德科技推出具有實時、1 GHz無間隙測量帶寬的增強型電磁干擾測量接收機

　　是德科技（NYSE: KEYS ）宣布對其PXE電磁干擾（EMI）測量接收機進行重大改進，將寬帶時域掃描（TDS）的實時無間隙測量帶寬擴展到1 GHz。與以前的三步式相比，新的PXE接收機使工程師只需一步即可完成從30 MHz到1 GHz的測量。這一進步提高了靈敏度，加快了診斷速度，并顯著加快了電磁兼容性（EMC）和認證工作流程。

發(fā)表于：7/26/2025

英特爾取消德國及波蘭建廠年底前將再裁員20%！

當?shù)貢r間7月24日，處理器大廠英特爾公布了第二季度財報，雖然128.6億美元的營收超出了分析師的預期，特別是其核心的數(shù)據(jù)中心和AI業(yè)務營收也超預期，但是盈利能力卻不及預期，虧損仍在擴大。為了減少支出，并提升盈利能力，英特爾CEO陳立武宣布取消此前已經(jīng)暫停的德國和波蘭的建廠項目，放緩俄亥俄州工廠的進度，將其在哥斯達黎加的組裝和測試業(yè)務整合到越南和馬來西亞的更大工廠。全球裁員15%，實現(xiàn)在2025年年底將核心員工降低至 75,000 人。

發(fā)表于：7/25/2025

SEMI：今年全球半導體制造設備銷售額將達1255億美元

7月24日消息，根據(jù)國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）最新的預測數(shù)據(jù)顯示，2025年全球半導體制造設備銷售額將同比增長7.4%至1,255億美元，創(chuàng)下歷史新高。在先進邏輯、存儲和技術轉型帶動下，2026年半導體制造設備銷售額有望進一步提高至1,381億美元。 SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“繼2024年的強勁增長之后，預計今年全球半導體制造設備銷售額將再次擴大，并在2026年創(chuàng)下新紀錄。雖然半導體行業(yè)正在密切關注宏觀經(jīng)濟的不確定性，但人工智能推動的芯片創(chuàng)新需求正在推動對產(chǎn)能擴張和領先生產(chǎn)的投資?！?

發(fā)表于：7/25/2025

Rapidus迅速展示2nm晶圓樣品

7月24日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本晶圓代工廠Rapidus近日展示了2nm晶圓樣品，這是在今年4月試產(chǎn)產(chǎn)線啟用后，僅3個月時間就完成了2nm晶圓樣品的生產(chǎn)，可謂是非常迅速。Rapidus 社長小池淳義接受采訪時表示，潛在客戶對Rapidus 的速度贊不絕口，而目前正和30-40家企業(yè)洽談。小池淳義還指出，不會和臺積電競爭。

發(fā)表于：7/25/2025

馬斯克宣布Optimus人形機器人明年量產(chǎn)

當?shù)貢r間7月23日，電動汽車大廠特斯拉（Tesla）CEO埃隆·馬斯克（Elon Musk）在財報會議上表示，今年年底將推出人形機器人Optimus第3版原型機，預估2026年開始量產(chǎn)Optimus，目標5年內(nèi)年生產(chǎn)100萬臺。馬斯克表示，Optimus人形機器人設計持續(xù)演進，目前正在Optimus第2版和2.5版的階段，Optimus第3版將是精致的設計，特斯拉持續(xù)訓練Optimus一起運用傳感器元件與神經(jīng)網(wǎng)絡。

發(fā)表于：7/25/2025

Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來

　　隨著人工智能（AI）快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）（納斯達克代碼：MCHP）今日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協(xié)議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產(chǎn)品與技術，通過雙方合作加速創(chuàng)新型碳化硅（SiC）解決方案、節(jié)能產(chǎn)品及系統(tǒng)的開發(fā)，助力構建更可持續(xù)的未來。

發(fā)表于：7/24/2025

一種M.2固態(tài)硬盤熱插拔和RAID功能的創(chuàng)新設計

M.2固態(tài)硬盤因其自身的優(yōu)勢得到了越來越廣泛的應用，企業(yè)級的產(chǎn)品也普遍使用M.2固態(tài)硬盤作為操作系統(tǒng)的啟動盤。但是由于其不具備熱插拔功能，難以滿足企業(yè)市場對高可用性、24小時不停機、數(shù)據(jù)保護以及在線維護的特殊需求。提出了一種新穎的綜合設計方案，在載板、FPGA、BIOS和BMC的配合下，實現(xiàn)了熱插拔功能和RAID功能。同時，依靠M.2固態(tài)硬盤引腳定義的不同實現(xiàn)了在M.2接口上PCIe和SATA總線的自動識別和兼容，利用FPGA和MOSFET引入了一種新的動態(tài)時鐘信號控制方式。該綜合設計方案不需要額外的硬件投入，以極高的成本效益實現(xiàn)以上功能，并提升系統(tǒng)的可靠性和可用性。

發(fā)表于：7/24/2025

基于組件復用的可重構I²C總線讀寫控制電路設計

現(xiàn)代軟件無線電架構中通常為了滿足軟件實時性而采用FPGA作預處理功能，但隨著軟件無線電系統(tǒng)不斷朝綜合化和智能化方向發(fā)展，如何應對各類復雜使用場景給系統(tǒng)設計者帶來越來越多的挑戰(zhàn)。面對不斷激增的需求，F(xiàn)PGA設計中經(jīng)常暴露出可移植性差、平臺依賴性強、程序對開發(fā)人員的依賴度高、系統(tǒng)集成與整合度難度大等問題。選取電子裝備中常用的I²C總線控制部分，借鑒軟件工程中“高內(nèi)聚、低耦合”的模塊化設計思想，提出一種總線控制電路的優(yōu)化策略，即基于組件復用的方法設計了一種可重構I²C總線讀寫控制電路。該電路具備按需配置波特率功能，同時具有可選的APB接口以及中斷功能，提供讀/寫數(shù)據(jù)位寬分別為1 B/2 B/4 B系列控制組件，并通過配置系列組件的方式重構讀/寫數(shù)據(jù)位寬。該電路具有實際的工程價值且已成功應用于不同項目以及TPAFEA008、ADT75和LTC2991等常用器件上。

發(fā)表于：7/24/2025

一種伺服功率驅動電路的設計與實現(xiàn)

針對現(xiàn)有電動伺服系統(tǒng)驅動電路效率低、電路復雜、強弱電不隔離等問題，介紹了一種輸出電流達36 A的直流有刷電機功率驅動電路，該電路具有效率高、熱功耗小、與微控制電路光電隔離、單電源供電等優(yōu)點。將該電路分解為四個組成部分，對各部分詳細說明，并從整個電路內(nèi)部工作原理及仿真實驗情況作具體分析。

發(fā)表于：7/24/2025

電容網(wǎng)絡對射頻SOI開關功率承受能力影響研究

通過比較分析研究電容網(wǎng)絡對射頻SOI開關功率承受能力的影響，主要包括射頻開關晶體管源極與漏極之間的橫向耦合電容Cdsn和射頻開關源極與漏極節(jié)點到GND的縱向耦合電容Cgndn。研究內(nèi)容包括射頻開關堆疊結構Cdsn/Cgndn逐步變化，前兩級Cdsn/Cgndn電容值大小，前N級Cdsn/Cgndn電容網(wǎng)絡對射頻開關插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響，研究結果為射頻開關電路設計提供參考。

發(fā)表于：7/24/2025