欧美日韩视频在线第一区 ,欧美日本国产va高清cabal

消息稱三星電子正推動DRAM制程升級

4 月 22 日消息，臺媒《電子時報》今日稱，隨著三星電子推動 DRAM 內(nèi)存制程工藝的策略性轉(zhuǎn)換升級，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內(nèi)存條）即將停產(chǎn)。具體來看，多家供應(yīng)鏈企業(yè)反饋收到產(chǎn)品 EOL（IT之家注：生命周期結(jié)束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內(nèi)存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。

發(fā)表于：4/22/2025

臺積電：無法保證半導(dǎo)體芯片不會被轉(zhuǎn)移到被禁企業(yè)

4月22日消息，據(jù)Tom's hardware報道，針對此前臺積電因在不知情的情況下為被美國列入黑名單的中企生產(chǎn)AI計算小芯片，或?qū)⒚媾R 10 億美元的罰款一事，臺積電在其最新的年度報告中承認(rèn)，在其代工的芯片離開晶圓廠后，難以確?？蛻舨粫⑿酒D(zhuǎn)移，以及了解芯片最終用途。換句話說，臺積電不能保證類似的事件不會重演。

發(fā)表于：4/22/2025

世強(qiáng)硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展

世強(qiáng)硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展以創(chuàng)新技術(shù)賦能全球電子產(chǎn)業(yè)鏈升級

發(fā)表于：4/22/2025

前十占九！“中國機(jī)構(gòu)正在主導(dǎo)全球芯片研究”

美國不斷加強(qiáng)對華芯片出口限制，試圖遏制中國獲取先進(jìn)半導(dǎo)體。但美國最新研究顯示，中國研究人員已加緊努力，進(jìn)行大量的基礎(chǔ)研究，目前在芯片設(shè)計和制造研究領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位。

發(fā)表于：4/22/2025

印度提交埃米級芯片議案入局芯片戰(zhàn)

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機(jī)構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團(tuán)隊聯(lián)合向政府提交了一份開發(fā)“埃級”芯片的議案，該芯片的尺寸遠(yuǎn)小于目前生產(chǎn)的最小芯片。

發(fā)表于：4/22/2025

臺積電美國廠4年巨虧400億臺幣南京廠大賺800億臺幣

4月21日消息，臺積電一直積極赴美投資建廠，總額高達(dá)1650億美元，計劃建設(shè)六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級別先進(jìn)工藝，而因為種種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺積電最新公布的股東會年報，臺積電在美國亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺幣，成為最燒錢的海外廠區(qū)。在此前三年，臺積電美國工廠因為一直處于前期投資建設(shè)階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴(kuò)大，2021年、2022年、2023年分別達(dá)48.1億元新臺幣、94.3億元新臺幣、109.24億元新臺幣，四年合計虧損幾乎達(dá)到400億元新臺幣。

發(fā)表于：4/22/2025

高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅(qū)動系統(tǒng)設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

光纖激光器波長和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅(qū)動電流波動的影響，為應(yīng)對該問題，設(shè)計了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅(qū)動系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負(fù)反饋原理，通過金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）來控制恒流輸出，實(shí)現(xiàn)了對半導(dǎo)體激光器（LD）驅(qū)動電流的精準(zhǔn)控制；限流保護(hù)電路利用二極管的限幅作用使LD免受過電流沖擊的影響，電流緩慢啟動采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準(zhǔn)探測到功率輸出。實(shí)驗結(jié)果表明，該電路可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動電流在0~1.2 A連續(xù)可調(diào)，電流短期（120 min）和長期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長波動不超過±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過0.084 3%，精度小于±0.15 mW。

發(fā)表于：4/21/2025

基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設(shè)計

傳統(tǒng)的功分器結(jié)構(gòu)由于高頻串?dāng)_明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統(tǒng)高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結(jié)構(gòu)的Ka波段功分器。從電路拓?fù)涑霭l(fā)，對該器件進(jìn)行了電路設(shè)計、建模仿真與實(shí)驗驗證。測試結(jié)果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現(xiàn)出通帶兩側(cè)具有傳輸零點(diǎn)的濾波響應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了多線縫隙耦合的薄膜功分器設(shè)計。

發(fā)表于：4/21/2025

T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究

對Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機(jī)理與影響因素進(jìn)行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點(diǎn)，進(jìn)行了對應(yīng)的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對器件抗靜電能力的影響并進(jìn)行相關(guān)機(jī)理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。

發(fā)表于：4/21/2025

器件級帶電器件模型靜電放電測試標(biāo)準(zhǔn)分析及應(yīng)用

針對器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電國內(nèi)外主要測試標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了整理、分析與解讀。梳理了各標(biāo)準(zhǔn)之間的差異性和關(guān)聯(lián)性，明確了各標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點(diǎn)。深入研究了影響器件級帶電器件模型（CDM）靜電放電測試結(jié)果的因素與控制方法，提出了在標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用過程中保障結(jié)果一致性和準(zhǔn)確性的相關(guān)技術(shù)技巧，為器件級帶電器件模型（CDM）測試標(biāo)準(zhǔn)的選擇、測試和工程應(yīng)用提供了指導(dǎo)。

發(fā)表于：4/21/2025

Arm已將Artan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)出售給了Cadence

近日，EDA及半導(dǎo)體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達(dá)成最終協(xié)議，收購Arm的Artisan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)。該業(yè)務(wù)涵蓋標(biāo)準(zhǔn)單元庫、內(nèi)存編譯器以及針對領(lǐng)先代工廠先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)優(yōu)化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強(qiáng)Cadence不斷擴(kuò)展的設(shè)計IP產(chǎn)品線，其核心產(chǎn)品包括領(lǐng)先的協(xié)議和接口IP、內(nèi)存接口IP、適用于最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的SerDes IP，以及即將收購的Secure-IC公司提供的嵌入式安全I(xiàn)P。

發(fā)表于：4/21/2025

Intel 18A更多細(xì)節(jié)曝光

4月21日消息，根據(jù)VLSI 2025最新曝光的資料中，英特爾披露了更多的關(guān)于其最新的 Intel 18A制程的細(xì)節(jié)。根據(jù)英特爾官網(wǎng)的此前公布的資料顯示，Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)繞柵極晶體管(GAA) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)電流的精確控制，同時還率先采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達(dá) 4%，并且與正面功率設(shè)計相比，固有電阻 (IR) 下降大大降低。與Intel 3 工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。最新資料顯示，Intel 18A提供了高性能（HP）和高密度（HD）庫，具有全功能的技術(shù)設(shè)計功能和增強(qiáng)的設(shè)計易用性。在 PPA 比較中，Intel 18A 在標(biāo)準(zhǔn) Arm 內(nèi)核子塊上設(shè)法在 1.1V 電壓下提供 25% 的速度提高和 36% 的功耗降低。除此之外，Intel 18A 實(shí)現(xiàn)了比 Intel 3 更好的面積利用率，這意味著該工藝可以實(shí)現(xiàn)更好的面積效率和更高密度設(shè)計的潛力。

發(fā)表于：4/21/2025

長電科技2024年營收創(chuàng)新高穩(wěn)居全球委外封測第三

4月20日傍晚，國產(chǎn)半導(dǎo)體封測大廠長電科技發(fā)布了2024年度業(yè)績報告，其營收再創(chuàng)歷史新高，繼續(xù)穩(wěn)居全球球委外封測（OSAT）市場第三，凈利潤也保持了穩(wěn)步的增長。 2024年營收達(dá)359.62億元，創(chuàng)歷史新高根據(jù)報告顯示，長電科技2024年營業(yè)收入約359.62億元，同比增長21.24%，創(chuàng)下了歷史新高；歸屬于上市公司股東的凈利潤約16.1億元，同比增長9.44%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤人民幣15.5 億元，同比增長17.02%?；久抗墒找?.9元，同比增長9.76%。

發(fā)表于：4/21/2025

中微董事長尹志堯放棄美籍，恢復(fù)中國籍！

4月17日晚間，中微公司發(fā)布了2024年度財報，顯示公司創(chuàng)始人、董事長兼首席執(zhí)行官尹志堯已放棄美籍，恢復(fù)了中國籍。

發(fā)表于：4/21/2025

天工機(jī)器人成為首個人形機(jī)器人半馬冠軍

4月19日消息，今天上午，全球首個人形機(jī)器人半程馬拉松在北京亦莊開跑，21支機(jī)器人隊伍與12000名人類選手同場競技，共同挑戰(zhàn)21.0975公里的賽道。據(jù)央視新聞官微介紹，目前天工機(jī)器人以2小時40分率先沖線完賽，奪得冠軍。

發(fā)表于：4/21/2025