使用SpectreX-GPU加速大規(guī)模高精度模擬電路的仿真驗(yàn)證

隨著半導(dǎo)體先進(jìn)工藝的發(fā)展，集成電路規(guī)模、復(fù)雜度不斷增加，給電路仿真驗(yàn)證帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)。利用SpectreX-GPU加速電路仿真，極大地提升了先進(jìn)工藝大規(guī)模高精度復(fù)雜電路的仿真驗(yàn)證效率，突破了該類設(shè)計(jì)的仿真驗(yàn)證瓶頸。SpectreX-GPU是Cadence Spectre平臺(tái)一款新的全精度SPICE仿真引擎，將傳統(tǒng)的基于CPU的電路仿真工具拓展至更大算力的CPU-GPU異構(gòu)計(jì)算中，結(jié)合了GPU強(qiáng)大的并行計(jì)算能力與CPU的復(fù)雜運(yùn)算能力，實(shí)現(xiàn)兩種計(jì)算能力之間的高效調(diào)度和平衡，同時(shí)保持SpectreX仿真器的準(zhǔn)確性。針對(duì)本公司不同類型的實(shí)際電路，利用SpectreX-GPU 仿真引擎和GPU進(jìn)行仿真，與基于CPU的SpectreX相比，在不影響仿真精度的前提下，顯著縮短了仿真時(shí)間，提高了驗(yàn)證效率和覆蓋范圍，幫助工程師在保證設(shè)計(jì)質(zhì)量的前提下進(jìn)一步縮短設(shè)計(jì)周期。

發(fā)表于：8/13/2025

三星電子2nm晶圓代工再收獲一家AI芯片客戶

8 月 13 日消息，韓國(guó)邊緣 AI 芯片企業(yè) DEEPX 當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日宣布與三星晶圓代工與韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)服務(wù)企業(yè) GAONCHIPS 簽署正式協(xié)議，三方將共同打造全球首款 2nm 端側(cè)生成式 AI 芯片 DX-M2。

發(fā)表于：8/13/2025

商務(wù)部對(duì)28家美企暫?；蛲Ｖ构苤乒芸卮胧?！

8月12日，中美斯德哥爾摩經(jīng)貿(mào)會(huì)談聯(lián)合聲明公布，中美雙方將自2025年8月12日起再次暫停實(shí)施24%的關(guān)稅90天，同時(shí)保留按該行政令規(guī)定對(duì)這些商品加征的剩余10%的關(guān)稅。同時(shí)，中方根據(jù)日內(nèi)瓦聯(lián)合聲明的商定，采取或者維持必要措施，暫停或取消針對(duì)美國(guó)的非關(guān)稅反制措施。

發(fā)表于：8/13/2025

臺(tái)積電新核準(zhǔn)超200美元資本預(yù)算建設(shè)先進(jìn)制程等產(chǎn)能

8月12日，晶圓代工大廠臺(tái)積電董事會(huì)核準(zhǔn)206.575億美元資本預(yù)算，建置先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝、成熟制程或特殊制程產(chǎn)能，以及廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程。

發(fā)表于：8/13/2025

三大電子代工大廠加碼投資美國(guó)

隨著特朗普與各國(guó)及地區(qū)的關(guān)稅政策的逐步落實(shí)，迫使越來(lái)越多的半導(dǎo)體及IT制造商赴美國(guó)建廠。 8月12日，電子代工大廠仁寶在公布二季度業(yè)績(jī)的同時(shí)，宣布對(duì)美國(guó)增資3億美元，以應(yīng)對(duì)當(dāng)?shù)貙?duì)于服務(wù)器需求的增長(zhǎng)。同時(shí)，廣達(dá)宣布1.7億美元增資美國(guó)田納西州納許維爾子公司，持續(xù)擴(kuò)大美國(guó)AI服務(wù)器投資。緯創(chuàng)也宣布授予美國(guó)子公司不超過(guò)6,250萬(wàn)美元額度內(nèi)，進(jìn)行美國(guó)達(dá)拉斯Eagle廠建筑物改良。這三大代工廠此次合計(jì)增資美國(guó)超5.3億美元！

發(fā)表于：8/13/2025

國(guó)臺(tái)辦回應(yīng)美方芯片關(guān)稅和臺(tái)積電赴美投資

國(guó)臺(tái)辦今日上午舉行例行新聞發(fā)布會(huì)。記者：美國(guó)總統(tǒng)特朗普日前受訪稱，將對(duì)半導(dǎo)體等進(jìn)口商品征收100%關(guān)稅。并稱臺(tái)積電將在美投資3000億美元，在亞利桑那州建立全世界最大晶圓廠。對(duì)此有何評(píng)論？國(guó)臺(tái)辦發(fā)言人朱鳳蓮：此前，臺(tái)積電被迫宣布在美加碼投資1000億美元時(shí)，已使島內(nèi)業(yè)界恐慌、民怨沸騰。此次3000億美元投資一旦落地，勢(shì)必對(duì)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)造成巨大影響，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)的發(fā)展動(dòng)能和自主性將被進(jìn)一步削弱。如果說(shuō)美國(guó)是掏空臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)的始作俑者，那么民進(jìn)黨當(dāng)局就是最大的幫兇。他們?cè)陉P(guān)稅談判上“未談先跪”、“打左臉?biāo)陀夷槨?，?duì)談判過(guò)程諱莫如深，甚至對(duì)民眾一騙再騙；在產(chǎn)業(yè)上對(duì)美國(guó)予取予求，主動(dòng)奉送臺(tái)積電，任其榨干臺(tái)灣優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)價(jià)值，充分說(shuō)明民進(jìn)黨當(dāng)局根本無(wú)心也無(wú)力維護(hù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)發(fā)展和民眾福祉。奉勸民進(jìn)黨當(dāng)局在“媚美賣臺(tái)”的邪路上及時(shí)懸崖勒馬，臺(tái)灣民眾和各界有識(shí)之士應(yīng)當(dāng)團(tuán)結(jié)起來(lái)，積極維護(hù)自身利益。

發(fā)表于：8/13/2025

中穎電子否認(rèn)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)廠商借殼上市傳聞

近日，對(duì)于市場(chǎng)傳聞稱中穎電子可能作為殼資源，吸收合并國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)廠商——上海微電子上市一事，中穎電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)回復(fù)時(shí)表示：“不清楚傳聞來(lái)源，請(qǐng)以公司公告為準(zhǔn)。當(dāng)前只會(huì)考慮IC設(shè)計(jì)公司。

發(fā)表于：8/13/2025

消息稱三星正研發(fā)超大面板級(jí)先進(jìn)封裝SoP

8 月 12 日消息，隨著單體芯片大小觸及光罩尺寸限制，現(xiàn)代超高性能芯片越來(lái)越依賴先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)多個(gè)功能裸晶的聚合。而對(duì)于超大規(guī)模芯片系統(tǒng)而言，300mm 直徑的 12 英寸晶圓 (Wafer) 也終將無(wú)法滿足大規(guī)模高效率量產(chǎn)的需求，以更大面積的面板 (Panel) 作為“舞臺(tái)”的下一代先進(jìn)封裝正在蓬勃發(fā)展。

發(fā)表于：8/13/2025

英特爾風(fēng)波折射美國(guó)芯片業(yè)焦慮

英特爾衰落與美國(guó)制造 8月11日，美國(guó)總統(tǒng)特朗普在社交平臺(tái)發(fā)帖稱，已與英特爾首席執(zhí)行官陳立武會(huì)面，“這次會(huì)面非常有趣。他的成功和崛起令人驚嘆。”陳立武將與內(nèi)閣成員深入交流，并就美國(guó)政府如何與英特爾合作以應(yīng)對(duì)其虧損的芯片制造業(yè)務(wù)提出建議方案。 英特爾也在一份聲明中說(shuō)，“今日早些時(shí)候，陳先生與特朗普總統(tǒng)會(huì)面，就英特爾致力于加強(qiáng)美國(guó)技術(shù)和制造業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)行了坦誠(chéng)和建設(shè)性的討論?！?/a>

臺(tái)積電決定兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造

8 月 12 日消息，臺(tái)積電今日召開(kāi)了新一期的董事會(huì)。該企業(yè)表示為優(yōu)化組織運(yùn)作與精進(jìn)營(yíng)運(yùn)效能，經(jīng)完整評(píng)估，決定在未來(lái) 2 年內(nèi)逐步退出 6 英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并 8 英寸晶圓產(chǎn)能，以提升營(yíng)運(yùn)效益。

發(fā)表于：8/13/2025

前CEO直言只有Intel才能救美國(guó)芯片制造

8月12日消息，作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體一哥，Intel公司近年來(lái)陷入了風(fēng)波之中，華裔CEO陳立武上臺(tái)之后又面臨多項(xiàng)考驗(yàn)，面見(jiàn)總統(tǒng)之后才避免了下臺(tái)的風(fēng)險(xiǎn)。 但是對(duì)Intel來(lái)說(shuō)，陳立武留任之后要做的事還有很多，如何讓這家50多年的美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)頭羊重新成為標(biāo)桿，尤其是在先進(jìn)工藝上恢復(fù)昔日的榮耀，將成為Intel的重大使命。

發(fā)表于：8/13/2025

SEMI報(bào)告顯示HBM滲透率達(dá)25%將引領(lǐng)硅晶圓將供不應(yīng)求

8月12日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近日發(fā)布最新預(yù)測(cè)報(bào)告指出，隨著人工智能熱潮的持續(xù)，硅晶圓（半導(dǎo)體硅片）出貨量卻增長(zhǎng)緩慢，隨著高帶寬內(nèi)存（HBM）在整個(gè)DRAM市場(chǎng)當(dāng)中的占比達(dá)到25%，預(yù)計(jì)將使得硅晶圓供不應(yīng)求。

發(fā)表于：8/13/2025

傳三星12層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證

8月12日消息，據(jù)韓國(guó)媒體“Alpha經(jīng)濟(jì)”獨(dú)家報(bào)導(dǎo)，人工智能（AI）芯片大廠英偉達(dá)（NVIDIA）近期與三星電子已達(dá)成協(xié)議，將供應(yīng)12層堆疊的HBM3E內(nèi)存。

發(fā)表于：8/13/2025

美光直言定制HBM內(nèi)存將在HBM4E時(shí)代正式落地

8 月 12 日消息，美光首席商務(wù)官 (CBO) Sumit Sadana 在出席美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日舉行的 2025 年 Keybanc 技術(shù)大會(huì)時(shí)表示，定制 HBM 內(nèi)存將在 HBM4 后的 HBM4E 時(shí)代正式落地。

發(fā)表于：8/12/2025

2025年下半年DDR4將處于持續(xù)供不應(yīng)求與價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲態(tài)勢(shì)

8月11日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年下半年DDR4將處于持續(xù)供不應(yīng)求與價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲態(tài)勢(shì)。

發(fā)表于：8/12/2025